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IGBT和超结MOSFET市场

ID: MRFR/SEM/31833-HCR
128 Pages
Aarti Dhapte
October 2025

IGBT和超结MOSFET市场研究报告按应用(可再生能源、汽车、消费电子、工业自动化、通信)、按类型(绝缘栅双极晶体管、超结MOSFET、SiC MOSFET、GaN MOSFET)、按最终用途(电力电子、马达驱动、开关电源、储能系统)、按电压等级(低电压、中电压、高电压)以及按地区(北美、欧洲、南美、亚太、中东和非洲)- 预测到2035年

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IGBT and Super Junction MOSFET Market Infographic
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IGBT和超结MOSFET市场 摘要

根据MRFR分析,IGBT和超结MOSFET市场规模在2024年预计为173.4亿美元。IGBT和超结MOSFET行业预计将从2025年的182.7亿美元增长到2035年的308.3亿美元,展现出在2025年至2035年预测期内5.37的年均增长率(CAGR)。

主要市场趋势和亮点

IGBT和超结MOSFET市场因技术进步和各个行业需求的增加而有望实现显著增长。

  • 北美市场仍然是IGBT和超结MOSFET的最大市场,主要得益于其强大的汽车和工业部门。

市场规模与预测

2024 Market Size 173.4亿美元
2035 Market Size 308.3(亿美元)
CAGR (2025 - 2035) 5.37%

主要参与者

英飞凌科技(德国),三菱电机(日本),ON 半导体(美国),意法半导体(法国),德州仪器(美国),东芝(日本),Nexperia(荷兰),瑞萨电子(日本),维世科技(美国)

IGBT和超结MOSFET市场 趋势

IGBT和超结MOSFET市场目前正经历动态演变,受到各个行业对节能解决方案日益增长的需求驱动。该市场似乎受到对可再生能源日益重视的影响,因为各行业寻求提高其电力转换效率。此外,半导体技术的进步可能在塑造该市场未来格局方面发挥关键作用。随着电动汽车和智能电网应用的普及,对高性能电源设备的需求愈加明显,这表明IGBT和超结MOSFET将有强劲的增长轨迹。
此外,电子元件的小型化和集成化的持续趋势预计将进一步推动IGBT和超结MOSFET市场的发展。制造商越来越专注于开发能够在更高电压和温度下运行的紧凑高效设备。这一转变不仅提升了性能,还与全球可持续发展的推动相一致。随着市场的不断演变,利益相关者必须对新兴技术和不断变化的消费者偏好保持警惕,这可能会在未来几年显著影响市场动态。

电动汽车需求上升

电动汽车的日益普及可能会推动IGBT和超结MOSFET市场的发展。这些电源设备对于电动驱动系统中的高效能源管理至关重要,这表明汽车趋势与市场增长之间存在强相关性。

半导体技术的进步

半导体材料和制造工艺的创新似乎提升了IGBT和超结MOSFET的性能。这一趋势表明有可能提高效率和可靠性,这可能吸引更多行业的应用。

关注可再生能源解决方案

IGBT和超结MOSFET市场。随着各行业寻求优化太阳能和风能应用中的电力转换,对这些设备的需求预计将上升,反映出对可持续发展的更广泛承诺。

IGBT和超结MOSFET市场 Drivers

电动车生产增长

电动汽车(EV)行业正经历前所未有的增长,这为IGBT和超结MOSFET市场提供了重要驱动力。随着全球对可持续交通的推动,汽车制造商正在加大电动汽车的生产,迫切需要先进的电力电子技术以实现高效的能源管理。IGBT和超结MOSFET在电动汽车的动力系统中发挥着至关重要的作用,提升了性能和效率。预计电动汽车市场将迅速扩张,预测到2030年,电动汽车可能占总汽车销售的相当大比例。这一趋势凸显了汽车行业对IGBT和超结MOSFET市场技术日益依赖的现状。

工业自动化的扩展

工业自动化的扩展是IGBT和超结MOSFET市场的关键驱动因素。随着各行业越来越多地采用自动化技术以提高生产力和降低劳动力成本,对先进电力电子产品的需求正在上升。IGBT和超结MOSFET是各种自动化应用中的重要组件,包括电动机驱动和机器人技术。工业自动化市场预计将见证显著增长,智能制造和工业4.0倡议的投资推动了对高效电力管理解决方案的需求。这一自动化的增长可能为IGBT和超结MOSFET市场创造新的机会,因为制造商寻求将这些技术集成到他们的系统中。

电力电子技术的进步

电力电子技术的进步正在显著影响IGBT和超结MOSFET市场。半导体材料和制造工艺的创新导致了更高效和更可靠设备的发展。这些进步使得更高的开关频率和改善的热性能成为可能,这对于工业自动化、可再生能源系统和电动汽车等现代应用至关重要。市场正朝着更紧凑和高效的设计转变,这可能会增强IGBT和超结MOSFET在各个行业的采用。随着技术的不断发展,对这些先进半导体解决方案的需求预计将上升,进一步推动市场的发展。

对能源效率的需求上升

各行业对能源效率日益重视是IGBT和超结MOSFET市场的重要驱动因素。随着能源成本上升和环境法规日益严格,企业正在寻求能够减少能源消耗的解决方案。IGBT和超结MOSFET在电力转换应用中以其高效率而闻名,非常适合用于工业设备、暖通空调系统和消费电子产品。预计节能技术市场将持续增长,许多行业正在采用这些解决方案以遵守监管标准并降低运营成本。这一趋势可能会进一步推动IGBT和超结MOSFET市场技术的需求。

可再生能源来源的日益普及

向可再生能源的过渡是IGBT和超结MOSFET市场的关键驱动因素。随着各国努力减少碳排放,对高效电力转换技术的需求激增。IGBT和超结MOSFET在太阳能逆变器和风力涡轮机应用中至关重要,促进了可再生能源转化为可用电力。预计可再生能源市场将显著增长,预计到2030年,太阳能和风能的投资将达到数万亿美元。这一增长与对先进半导体技术日益增长的需求直接相关,从而推动IGBT和超结MOSFET市场的发展。

市场细分洞察

按应用:可再生能源(最大)与汽车(增长最快)

IGBT和超结MOSFET市场展现出多样化的应用格局,其中可再生能源作为最大的细分市场引领潮流。该领域涵盖了多种应用,如太阳能逆变器和风能转换器。紧随其后的是汽车细分市场,受到电动汽车日益增长的趋势的显著影响,预计将提升其市场份额。其他值得注意的细分市场包括消费电子、工业自动化和电信,每个细分市场通过满足特定的技术需求和创新,为整体市场动态做出贡献。

应用:可再生能源(主导)与汽车(新兴)

可再生能源领域在IGBT和超结MOSFET市场中占据主导地位,推动这一领域发展的主要因素是全球对可持续能源解决方案的日益重视。该领域主要涉及光伏系统和能源管理系统等应用,受益于政府激励措施和日益增强的环境意识。相比之下,汽车领域由于电动和混合动力汽车的进步而迅速崛起。这一增长受到对节能技术的需求、减排的监管压力以及电池管理系统创新的推动,标志着汽车电气化的变革性转变。

按类型:绝缘栅双极晶体管(最大)与超结MOSFET(增长最快)

IGBT和超结MOSFET市场的特点是具有多样化的细分值,包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超结MOSFET、SiC MOSFET和GaN MOSFET。在这些产品中,IGBT由于广泛应用于从可再生能源系统到工业驱动的各种应用中,保持着最大的市场份额。另一方面,超结MOSFET正在迅速获得关注,反映出在消费电子和汽车行业对高效解决方案日益增长的需求。

技术:IGBT(主导)与超结MOSFET(新兴)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其高效率和处理显著功率水平的能力而受到认可,使其在工业应用和可再生能源系统中备受青睐。它们在市场上的确立地位巩固了它们作为主导力量的地位。相比之下,超结MOSFET因其在高压应用中的优越性能和较低的开关损耗而成为一种引人注目的选择。这些设备在需要高效能量管理的应用中尤为受欢迎,例如电动汽车和先进电源,表明向新技术的采用正在发生转变。

按最终用途:电力电子(最大)与电动机驱动(增长最快)

IGBT和超结MOSFET市场在各种终端应用中展示了多样化的分布。电力电子占据了最大的市场份额,主要得益于其在各种设备中的广泛应用,包括逆变器和控制系统。另一方面,电动机驱动由于电动汽车技术和自动化的进步,迅速获得市场关注,成为一个关键参与者。这两个细分市场在为现代电气系统供电方面都表现出显著的相关性,但它们的贡献在规模和增长轨迹上有所不同。

近年来,这些细分市场的增长趋势表现出动态变化,电动机驱动作为增长最快的类别,超越了其他市场。这一激增主要是由于对节能解决方案的需求不断增加,以及汽车和工业领域的快速技术创新。同时,电力电子仍然是一个强劲的细分市场,得益于半导体技术的持续提升,这些技术支持了能源转换应用中的更高效率和性能。这些趋势表明,市场正在演变,强调可持续性和电力管理解决方案中的效率。

电力电子(主导)与能源存储系统(新兴)

电力电子以其广泛的适用性而著称,能够在从消费电子到工业机械的设备中促进高效的能量转换和控制系统。该领域的主导地位归因于成熟的技术和对增强的重大投资,推动了可靠性和性能的发展。相反,能源存储系统正在成为IGBT和超结MOSFET市场中的一个重要领域,受到对可再生能源整合和电网稳定性日益增长的需求的推动。这些系统的需求受到电池技术进步和可持续性关注的驱动,使能源存储系统成为一个关键的增长领域,旨在支持住宅和商业应用,同时与全球能源转型目标保持一致。

按电压等级:高电压(最大)与低电压(增长最快)

IGBT和超结MOSFET市场在电压等级上显示出明显的分布。高电压设备主导市场,因为它们广泛应用于工业应用和能源转换系统。相反,低电压设备由于其在消费电子和可再生能源解决方案中的应用,迅速获得了关注。这两个细分市场反映出不同的审美偏好,以满足电力管理技术进步的特定需求。

低电压(增长最快)与高电压(主导)

低压领域在IGBT和超结MOSFET市场中迅速崛起,主要受到移动设备和电动车对紧凑型电源解决方案需求增加的推动。随着对能源效率的强力推动,制造商正专注于创造更高效的低压组件。另一方面,高压设备仍然占据主导地位,主要用于铁路应用和可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力涡轮发电机电源转换器。高压组件对于提升电网的整体能源性能至关重要,巩固了它们在市场中的强势地位。

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区域洞察

北美:创新与需求激增

北美是IGBT和超结MOSFET的最大市场,约占全球市场份额的40%。该地区的增长受到对汽车和工业应用中节能解决方案需求增加的推动,以及支持可再生能源技术的政府法规的促进。对电动汽车(EV)和智能电网技术的推动进一步催化了市场扩张。美国和加拿大是该地区的领先国家,主要企业如英飞凌科技、安森美半导体和德州仪器在此建立了强大的立足点。竞争格局的特点是持续的创新和战略合作伙伴关系,旨在增强产品供应。先进的制造设施和研发中心的存在进一步巩固了该地区作为IGBT技术中心的地位。

欧洲:监管支持与增长

欧洲是IGBT和超结MOSFET的第二大市场,约占全球市场份额的30%。该地区受益于旨在减少碳排放的严格法规,这推动了节能技术的采用。欧洲绿色协议和各种国家倡议在促进半导体技术的创新和投资方面发挥了关键作用,特别是在汽车和可再生能源领域。德国、法国和荷兰是该市场的关键参与者,STMicroelectronics和Nexperia等公司在其中发挥了重要作用。竞争格局的特点是对可持续性和技术进步的关注,研发方面的重大投资。强大的供应链和行业利益相关者之间的合作进一步增强了该地区的市场动态。

亚太地区:快速增长与采用

亚太地区在IGBT和超结MOSFET市场中正经历快速增长,约占全球市场份额的25%。该地区的扩张受到工业化、城市化和对电动汽车需求上升的推动。政府倡导可再生能源和智能电网技术的举措也是市场增长的重要驱动力,为半导体制造商创造了有利的监管环境。中国、日本和韩国是该地区的领先国家,三菱电机和东芝等主要企业做出了重要贡献。竞争格局的特点是激进的定价策略和技术进步。庞大的消费群体和日益增长的半导体初创企业进一步增强了该地区的市场潜力。

中东和非洲:新兴市场潜力

中东和非洲地区在IGBT和超结MOSFET市场中逐渐崭露头角,目前约占全球市场份额的5%。增长主要受到对可再生能源项目和基础设施发展的投资增加的推动。该地区的政府正专注于经济多元化,包括提升半导体制造和应用的技术能力。南非和阿联酋等国在此方面处于领先地位,采取了旨在促进创新和吸引外国投资的举措。竞争格局仍在发展中,少数关键参与者开始建立他们的存在。随着对节能解决方案需求的持续上升,该地区的增长潜力显著。

IGBT和超结MOSFET市场 Regional Image

主要参与者和竞争洞察

IGBT和超结MOSFET市场目前的特点是动态竞争格局,受到各个行业对节能解决方案日益增长的需求的推动,包括汽车、工业和可再生能源。主要参与者如英飞凌科技(德国)、三菱电机(日本)和ON半导体(美国)在技术进步和广泛的产品组合方面处于战略位置。英飞凌科技(德国)专注于电力半导体技术的创新,而三菱电机(日本)则强调区域扩张和合作伙伴关系,以增强其市场存在感。ON半导体(美国)积极追求数字化转型举措,以优化其运营并改善客户参与度。这些策略共同促进了一个越来越注重技术差异化和以客户为中心的解决方案的竞争环境。

在商业策略方面,公司越来越多地本地化制造,以减少交货时间并增强供应链韧性。市场结构似乎适度分散,多个参与者争夺市场份额。然而,像意法半导体(法国)和德州仪器(美国)等主要公司的集体影响力显著,因为它们继续创新并扩展其产品。这样的竞争结构促进了一个合作和战略伙伴关系至关重要的环境,以保持竞争优势。

在2025年8月,英飞凌科技(德国)宣布推出一系列专为电动车应用设计的新IGBT,预计将提高效率和性能。这一战略举措强调了英飞凌对满足日益增长的电动出行解决方案需求的承诺,使公司在快速发展的市场中处于有利位置。这些先进IGBT的推出可能会通过设定新的性能基准显著影响竞争动态。

在2025年9月,三菱电机(日本)揭晓与一家领先汽车制造商的战略合作伙伴关系,共同开发下一代电源模块。这一合作可能会加速为电动车量身定制的创新解决方案的开发,从而增强三菱电机的竞争地位。这种合作不仅促进了创新,还使公司能够共享资源和专业知识,这在技术驱动的市场中至关重要。

在2025年7月,ON半导体(美国)通过投资新设施扩大了其制造能力,专注于生产超结MOSFET。这项投资反映了ON半导体增强生产能力和满足对高性能电源设备日益增长的需求的战略。通过增强其制造能力,公司旨在提高供应链的可靠性和响应能力,这些都是在市场中保持竞争力的关键因素。

截至2025年10月,IGBT和超结MOSFET市场的当前趋势表明,数字化、可持续性和人工智能在产品开发中的整合受到强烈重视。战略联盟越来越多地塑造竞争格局,因为公司认识到合作在推动创新中的价值。展望未来,竞争差异化似乎将从传统的基于价格的竞争转向关注技术创新、增强供应链可靠性和可持续实践。这一转变可能会重新定义公司在市场中的定位,强调适应性和前瞻性战略的重要性。

IGBT和超结MOSFET市场市场的主要公司包括

行业发展

  • 2024年第二季度:英飞凌推出用于工业和汽车应用的新CoolSiC™ MOSFET和IGBT模块 英飞凌科技宣布推出其最新的CoolSiC™ MOSFET和IGBT模块,针对工业和汽车电力电子市场。这些新产品旨在提高电动汽车和可再生能源系统的效率和可靠性。
  • 2024年第二季度:onsemi在捷克共和国新建工厂以扩大碳化硅和IGBT制造能力 onsemi在捷克共和国开设了一家新制造工厂,以扩大其碳化硅(SiC)和IGBT电力器件的生产能力,旨在满足汽车和工业客户日益增长的需求。
  • 2024年第一季度:三菱电机开发新一代第七代IGBT模块用于电动汽车逆变器 三菱电机宣布开发其第七代IGBT模块,旨在用于电动汽车逆变器。该新模块为下一代电动汽车提供了更高的功率密度和效率。
  • 2024年第二季度:意法半导体与ZF成立合资企业生产碳化硅电力模块 意法半导体与ZF宣布成立合资企业,生产包括超结MOSFET在内的碳化硅电力模块,应用于汽车和工业领域。该合作旨在加速能源高效电力电子的采用。
  • 2024年第一季度:瑞萨电子推出新型超结MOSFET,针对太阳能逆变器市场 瑞萨电子推出了一系列针对太阳能逆变器应用优化的新型超结MOSFET,提供更高的效率和更低的损耗,适用于可再生能源系统。
  • 2024年第二季度:英飞凌科技将在德国投资10亿欧元建立新的IGBT和MOSFET研发中心 英飞凌科技宣布投资10亿欧元在德国建立一个新的研发中心,专注于推进IGBT和超结MOSFET技术,服务于汽车和工业市场。
  • 2025年第一季度:德州仪器推出下一代IGBT栅极驱动器,提升工业自动化性能 德州仪器发布了其下一代IGBT栅极驱动器,旨在提升工业自动化和电机控制系统的性能和可靠性。
  • 2024年第二季度:日立能源获得重大合同,供应IGBT电力模块用于欧洲铁路电气化项目 日立能源赢得了一项重要合同,供应IGBT电力模块用于欧洲的大规模铁路电气化项目,支持可持续交通的转型。
  • 2025年第一季度:富士电机宣布在越南新建IGBT模块制造厂 富士电机透露计划在越南开设一家新的IGBT模块制造厂,专注于为汽车和工业客户生产IGBT模块,扩大其全球业务。
  • 2025年第二季度:英飞凌科技任命新首席技术官,领导电力半导体创新 英飞凌科技宣布任命新首席技术官,负责推动IGBT和超结MOSFET技术在新兴市场的创新。
  • 2024年第一季度:意法半导体推出新型超结MOSFET,应用于快速充电基础设施 意法半导体推出了一系列新型超结MOSFET,旨在用于电动汽车的快速充电基础设施,提供更高的效率和热性能。
  • 2025年第二季度:三菱电机获得2亿美元合同,供应IGBT模块给中国电动汽车制造商 三菱电机获得了一项2亿美元的合同,向一家领先的中国电动汽车制造商供应IGBT模块,支持中国电动汽车生产的扩张。

未来展望

IGBT和超结MOSFET市场 未来展望

IGBT和超结MOSFET市场预计将在2024年至2035年间以5.37%的年复合增长率增长,推动因素包括电动车、可再生能源和工业自动化的进步。

新机遇在于:

  • 开发高效能的可再生能源系统电源模块。

到2035年,市场预计将巩固其在电力电子领域的领导地位。

市场细分

IGBT和超结MOSFET市场应用前景

  • 可再生能源
  • 汽车
  • 消费电子
  • 工业自动化
  • 电信

IGBT和超结MOSFET市场类型展望

  • 绝缘栅双极晶体管
  • 超结MOSFET
  • 碳化硅MOSFET
  • 氮化镓MOSFET

IGBT和超结MOSFET市场终端使用前景

  • 电力电子
  • 电动机驱动
  • 开关电源
  • 能源存储系统

报告范围

2024年市场规模173.4(十亿美元)
2025年市场规模182.7(十亿美元)
2035年市场规模308.3(十亿美元)
复合年增长率(CAGR)5.37%(2024 - 2035)
报告覆盖范围收入预测、竞争格局、增长因素和趋势
基准年2024
市场预测期2025 - 2035
历史数据2019 - 2024
市场预测单位十亿美元
关键公司简介市场分析进行中
覆盖的细分市场市场细分分析进行中
关键市场机会对节能解决方案的需求增长推动了IGBT和超结MOSFET市场的创新。
关键市场动态对节能解决方案的需求上升推动了IGBT和超结MOSFET市场的创新和竞争。
覆盖的国家北美、欧洲、亚太、南美、中东和非洲

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FAQs

到2035年,IGBT和超结MOSFET市场的预计市场估值是多少?

预计到2035年,IGBT和超结MOSFET市场的市场估值为308.3亿美元。

2024年IGBT和超结MOSFET市场的整体市场估值是多少?

2024年IGBT和超结MOSFET市场的整体市场估值为173.4亿美元。

在2025年至2035年的预测期内,IGBT和超结MOSFET市场的预期CAGR是多少?

在2025年至2035年的预测期内,IGBT和超结MOSFET市场的预期CAGR为5.37%。

在IGBT和超结MOSFET市场中,预计哪个应用领域将增长最多?

工业自动化应用领域预计将从2024年的50亿美元增长到2035年的80亿美元。

绝缘栅双极晶体管的估值与超结MOSFET相比如何?

绝缘栅双极晶体管在2024年的估值为60亿美元,预计到2035年将达到105亿美元,而超结MOSFET的预计增长从45亿美元到80亿美元。

IGBT和超结MOSFET市场的关键参与者有哪些?

市场的主要参与者包括英飞凌科技、三菱电机、ON Semiconductor、意法半导体、德州仪器、东芝、Nexperia、瑞萨电子和维萨电子。

IGBT和超结MOSFET市场中消费电子部门的预计增长是多少?

消费电子部门预计将从2024年的25亿美元增长到2035年的45亿美元。

在IGBT和超结MOSFET市场中,哪个电压等级细分市场显示出最高的增长潜力?

高压 segment 预计将从 2024 年的 61.4 亿 USD 增长到 2035 年的 112.3 亿 USD。

到2035年,预计哪个最终使用细分市场的估值最高?

到2035年,能源存储系统最终用途细分市场预计将达到93.3亿美元的估值。

电动机驱动市场与电力电子市场在增长方面如何比较?

电动机驱动部门预计将从2024年的40亿美元增长到2035年的70亿美元,而电力电子预计将从50亿美元增长到90亿美元。

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