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Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super

ID: MRFR/SEM/31833-HCR
128 Pages
Aarti Dhapte
October 2025

Rapport d'étude de marché sur les IGBT et les MOSFET Super Junction par application (Énergie renouvelable, Automobile, Électronique grand public, Automatisation industrielle, Télécommunications), par type (Transistor bipolaire à porte isolée, MOSFET Super Junction, MOSFET SiC, MOSFET GaN), par utilisation finale (Électronique de puissance, Variateurs de moteur, Alimentations à découpage, Systèmes de stockage d'énergie), par tension nominale (Basse tension, Moyenne tension, Haute tension) et par région (Amérique du Nord, Europe, Améri... lire la suite

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IGBT and Super Junction MOSFET Market Infographic
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Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super Résumé

Selon l'analyse de MRFR, la taille du marché des IGBT et des MOSFET à jonction super était estimée à 17,34 milliards USD en 2024. L'industrie des IGBT et des MOSFET à jonction super devrait croître de 18,27 milliards USD en 2025 à 30,83 milliards USD d'ici 2035, affichant un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 5,37 pendant la période de prévision 2025 - 2035.

Principales tendances et faits saillants du marché

Le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super est prêt à connaître une croissance substantielle, stimulée par les avancées technologiques et la demande croissante dans divers secteurs.

  • Le marché nord-américain reste le plus grand pour les IGBT et les MOSFETs à jonction super, principalement en raison de ses secteurs automobile et industriel robustes.
  • La région Asie-Pacifique émerge comme la plus dynamique, alimentée par des avancées rapides dans la technologie des semi-conducteurs et une production croissante de véhicules électriques.
  • Le segment des énergies renouvelables domine le marché, tandis que le segment automobile connaît la croissance la plus rapide, reflétant l'évolution des préférences des consommateurs.
  • Les principaux moteurs du marché incluent la demande croissante d'efficacité énergétique et l'adoption accrue des sources d'énergie renouvelables, qui propulsent l'expansion du marché.

Taille du marché et prévisions

2024 Market Size 17,34 (milliards USD)
2035 Market Size 30,83 (milliards USD)
CAGR (2025 - 2035) 5,37 %

Principaux acteurs

Infineon Technologies (DE), Mitsubishi Electric (JP), ON Semiconductor (US), STMicroelectronics (FR), Texas Instruments (US), Toshiba (JP), Nexperia (NL), Renesas Electronics (JP), Vishay Intertechnology (US)

Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super Tendances

Le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction connaît actuellement une évolution dynamique, alimentée par la demande croissante de solutions écoénergétiques dans divers secteurs. Ce marché semble être influencé par l'accent croissant mis sur les sources d'énergie renouvelables, alors que les industries cherchent à améliorer leur efficacité de conversion d'énergie. De plus, les avancées dans la technologie des semi-conducteurs devraient jouer un rôle clé dans la configuration du paysage futur de ce marché. À mesure que les véhicules électriques et les applications de réseaux intelligents gagnent en popularité, le besoin de dispositifs de puissance haute performance devient plus prononcé, suggérant une trajectoire de croissance robuste pour les IGBT et les MOSFET Super Junction. De plus, la tendance actuelle vers la miniaturisation et l'intégration des composants électroniques devrait encore propulser le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction. Les fabricants se concentrent de plus en plus sur le développement de dispositifs compacts et efficaces capables de fonctionner à des tensions et des températures plus élevées. Ce changement améliore non seulement les performances, mais s'aligne également sur l'élan mondial en faveur de la durabilité. À mesure que le marché continue d'évoluer, les parties prenantes doivent rester vigilantes face aux technologies émergentes et aux préférences changeantes des consommateurs, qui pourraient avoir un impact significatif sur la dynamique du marché dans les années à venir.

Demande croissante de véhicules électriques

L'adoption croissante des véhicules électriques devrait stimuler le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction. Ces dispositifs de puissance sont essentiels pour une gestion efficace de l'énergie dans les chaînes de traction électriques, suggérant une forte corrélation entre les tendances automobiles et la croissance du marché.

Avancées dans la technologie des semi-conducteurs

Les innovations dans les matériaux semi-conducteurs et les processus de fabrication semblent améliorer les performances des IGBT et des MOSFET Super Junction. Cette tendance indique un potentiel d'amélioration de l'efficacité et de la fiabilité, ce qui pourrait attirer davantage d'applications dans divers secteurs.

Accent sur les solutions d'énergie renouvelable

Le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction. Alors que les industries cherchent à optimiser la conversion d'énergie dans les applications solaires et éoliennes, la demande pour ces dispositifs devrait augmenter, reflétant un engagement plus large en faveur de la durabilité.

Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super conducteurs

Expansion de l'automatisation industrielle

L'expansion de l'automatisation industrielle est un moteur clé pour le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super. À mesure que les industries adoptent de plus en plus les technologies d'automatisation pour améliorer la productivité et réduire les coûts de main-d'œuvre, la demande pour des électroniques de puissance avancées est en hausse. Les IGBT et les MOSFET à jonction super sont des composants essentiels dans diverses applications d'automatisation, y compris les entraînements de moteurs et la robotique. Le marché de l'automatisation industrielle devrait connaître une croissance substantielle, avec des investissements dans la fabrication intelligente et les initiatives de l'Industrie 4.0 stimulant le besoin de solutions de gestion de l'énergie efficaces. Cette croissance de l'automatisation est susceptible de créer de nouvelles opportunités pour le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super, alors que les fabricants cherchent à intégrer ces technologies dans leurs systèmes.

Demande croissante d'efficacité énergétique

L'accent croissant sur l'efficacité énergétique dans divers secteurs est un moteur significatif pour le marché des IGBT et des MOSFET à super jonction. Alors que les coûts de l'énergie augmentent et que les réglementations environnementales se renforcent, les entreprises recherchent des solutions qui minimisent la consommation d'énergie. Les IGBT et les MOSFET à super jonction sont connus pour leur haute efficacité dans les applications de conversion d'énergie, ce qui les rend idéaux pour une utilisation dans les équipements industriels, les systèmes CVC et l'électronique grand public. Le marché des technologies écoénergétiques devrait croître, de nombreuses industries adoptant ces solutions pour se conformer aux normes réglementaires et réduire les coûts opérationnels. Cette tendance devrait renforcer la demande pour les technologies du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction.

Avancées technologiques en électronique de puissance

Les avancées technologiques dans l'électronique de puissance influencent considérablement le marché des IGBT et des MOSFET Super Jonction. Les innovations dans les matériaux semi-conducteurs et les processus de fabrication ont conduit au développement de dispositifs plus efficaces et fiables. Ces avancées permettent des fréquences de commutation plus élevées et une performance thermique améliorée, qui sont essentielles pour les applications modernes dans l'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et les véhicules électriques. Le marché connaît un changement vers des conceptions plus compactes et efficaces, ce qui devrait favoriser l'adoption des IGBT et des MOSFET Super Jonction dans divers secteurs. À mesure que la technologie continue d'évoluer, la demande pour ces solutions semi-conductrices avancées devrait augmenter, stimulant ainsi davantage le marché.

Croissance de la production de véhicules électriques

Le secteur des véhicules électriques (VE) connaît une croissance sans précédent, ce qui constitue un moteur crucial pour le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction. Avec l'élan mondial en faveur d'un transport durable, les constructeurs automobiles augmentent leur production de VE, nécessitant des électroniques de puissance avancées pour une gestion efficace de l'énergie. Les IGBT et les MOSFET Super Junction jouent un rôle vital dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques, améliorant les performances et l'efficacité. Le marché des VE devrait se développer rapidement, avec des projections indiquant qu'en 2030, les véhicules électriques pourraient représenter un pourcentage substantiel des ventes totales de véhicules. Cette tendance souligne la dépendance croissante aux technologies du marché des IGBT et des MOSFET Super Junction dans le secteur automobile.

Adoption croissante des sources d'énergie renouvelable

La transition vers des sources d'énergie renouvelables est un moteur essentiel pour le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super. Alors que les nations s'efforcent de réduire les émissions de carbone, la demande pour des technologies de conversion d'énergie efficaces a explosé. Les IGBT et les MOSFET à jonction super sont intégrés dans les onduleurs solaires et les applications d'éoliennes, facilitant la conversion de l'énergie renouvelable en électricité utilisable. Le marché de l'énergie renouvelable devrait connaître une croissance significative, avec des investissements dans l'énergie solaire et éolienne qui devraient atteindre des trillions de dollars d'ici 2030. Cette croissance est directement corrélée à la nécessité croissante de technologies de semi-conducteurs avancées, propulsant ainsi le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super.

Aperçu des segments de marché

Par application : Énergie renouvelable (la plus grande) contre Automobile (la plus en croissance)

Le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super présente un paysage d'application diversifié, avec les énergies renouvelables en tête en tant que plus grand segment. Ce secteur englobe diverses applications telles que les onduleurs solaires et les convertisseurs d'énergie éolienne. Juste derrière se trouve le segment automobile, fortement influencé par la tendance croissante des véhicules électriques qui devraient augmenter sa part de marché. D'autres segments notables incluent l'électronique grand public, l'automatisation industrielle et les télécommunications, chacun contribuant à la dynamique globale du marché en répondant à des besoins technologiques spécifiques et à des innovations.

Application : Énergie renouvelable (dominante) vs. Automobile (émergente)

Le segment des énergies renouvelables se positionne comme la force dominante sur le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction, propulsé par l'accent croissant mis à l'échelle mondiale sur des solutions énergétiques durables. Ce segment s'engage principalement dans des applications telles que les systèmes photovoltaïques et les systèmes de gestion de l'énergie, bénéficiant d'incitations gouvernementales et d'une sensibilisation environnementale croissante. En revanche, le segment automobile émerge rapidement grâce aux avancées dans les véhicules électriques et hybrides. Cette croissance est propulsée par la demande de technologies écoénergétiques, les pressions réglementaires pour la réduction des émissions et les innovations dans les systèmes de gestion des batteries, signalant un changement transformateur dans l'électrification automobile.

Par type : Transistor bipolaire à porte isolée (le plus grand) contre MOSFET à super jonction (croissance la plus rapide)

Le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super est caractérisé par une gamme diversifiée de valeurs de segment, y compris les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), les MOSFET à jonction super, les MOSFET en SiC et les MOSFET en GaN. Parmi ceux-ci, les IGBT conservent la plus grande part de marché en raison de leur utilisation extensive dans diverses applications, allant des systèmes d'énergie renouvelable aux entraînements industriels. D'autre part, les MOSFET à jonction super gagnent rapidement du terrain, reflétant une demande croissante pour des solutions à haute efficacité dans les secteurs de l'électronique grand public et de l'automobile.

Technologie : IGBT (Dominant) vs. MOSFET Super Jonction (Émergent)

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont reconnus pour leur haute efficacité et leur capacité à gérer des niveaux de puissance significatifs, ce qui les rend désirables pour les applications industrielles et les systèmes d'énergie renouvelable. Leur présence établie sur le marché les solidifie en tant que force dominante. En revanche, les MOSFET à super jonction émergent comme un choix convaincant en raison de leur performance supérieure dans les applications à haute tension et de leurs pertes de commutation réduites. Ces dispositifs sont particulièrement prisés dans les applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie, telles que les véhicules électriques et les alimentations avancées, indiquant un changement vers l'adoption de technologies plus récentes.

Par utilisation finale : Électronique de puissance (la plus grande) contre entraînements de moteurs (la plus rapide croissance)

Le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super présente une distribution diversifiée parmi diverses applications finales. L'électronique de puissance détient la plus grande part, soutenue par son utilisation extensive dans divers dispositifs, y compris les onduleurs et les systèmes de contrôle. Les entraînements de moteurs, quant à eux, attirent rapidement l'attention du marché en raison des avancées dans les technologies de véhicules électriques et l'automatisation, ce qui en fait un acteur essentiel. Les deux segments démontrent une pertinence significative dans l'alimentation des systèmes électriques modernes, cependant, leurs contributions varient en ampleur et en trajectoires de croissance. Ces dernières années, les tendances de croissance dans ces segments ont montré des changements dynamiques, les entraînements de moteurs dépassant les autres en tant que catégorie à la croissance la plus rapide. Cette augmentation est largement due à la demande croissante de solutions écoénergétiques et aux innovations technologiques rapides dans les secteurs automobile et industriel. Pendant ce temps, l'électronique de puissance reste un segment robuste, soutenu par des améliorations continues dans les technologies des semi-conducteurs qui favorisent une efficacité et des performances supérieures dans les applications de conversion d'énergie. Ces tendances indiquent un paysage en évolution marqué par un accent sur la durabilité et l'efficacité dans les solutions de gestion de l'énergie.

Électronique de puissance (dominante) vs. Systèmes de stockage d'énergie (émergents)

L'électronique de puissance se caractérise par sa large applicabilité dans divers secteurs, facilitant la conversion d'énergie efficace et les systèmes de contrôle dans des dispositifs allant de l'électronique grand public à la machinerie industrielle. La domination de ce segment est attribuée aux technologies établies et aux investissements significatifs dans les améliorations, favorisant la fiabilité et la performance. En revanche, les systèmes de stockage d'énergie émergent comme un domaine vital au sein du marché des IGBT et des MOSFET à jonction super, stimulés par le besoin croissant d'intégration des énergies renouvelables et de stabilité du réseau. La demande pour ces systèmes est alimentée par les avancées dans les technologies de batteries et un accent sur la durabilité, positionnant les systèmes de stockage d'énergie comme un domaine de croissance critique visant à soutenir à la fois les applications résidentielles et commerciales tout en s'alignant sur les objectifs de transition énergétique mondiaux.

Par Tension : Haute Tension (La Plus Grande) vs. Basse Tension (La Plus Rapide Croissance)

Le marché des IGBT et des MOSFET à super jonction révèle une distribution claire parmi les classes de tension. Les dispositifs haute tension dominent le marché car ils sont largement utilisés dans les applications industrielles et les systèmes de conversion d'énergie. En revanche, les dispositifs basse tension gagnent rapidement du terrain en raison de leurs applications dans l'électronique grand public et les solutions d'énergie renouvelable. Les deux segments reflètent des préférences esthétiques distinctes qui répondent à des avancées technologiques spécifiques dans la gestion de l'énergie.

Basse Tension (Croissance la Plus Rapide) vs. Haute Tension (Dominant)

Le segment de basse tension émerge rapidement sur le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super, soutenu par la demande croissante de solutions d'alimentation compactes dans les appareils mobiles et les véhicules électriques. Avec une forte poussée vers l'efficacité énergétique, les fabricants se concentrent sur la création de composants de basse tension plus efficaces. D'autre part, les dispositifs haute tension restent dominants, principalement utilisés dans les applications ferroviaires et les systèmes d'énergie renouvelable, tels que les onduleurs solaires et les convertisseurs de puissance des éoliennes. Les composants haute tension sont essentiels pour améliorer la performance énergétique globale des réseaux électriques, consolidant ainsi leur position sur le marché.

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Aperçu régional

Amérique du Nord : Innovation et Augmentation de la Demande

L'Amérique du Nord est le plus grand marché pour les IGBT et les MOSFETs à jonction super, détenant environ 40 % de la part de marché mondiale. La croissance de la région est alimentée par une demande croissante de solutions écoénergétiques dans les applications automobiles et industrielles, ainsi que par des réglementations gouvernementales favorables à la promotion des technologies d'énergie renouvelable. L'impulsion pour les véhicules électriques (VE) et les technologies de réseau intelligent catalyse également l'expansion du marché. Les États-Unis et le Canada sont les pays leaders de cette région, avec des acteurs majeurs comme Infineon Technologies, ON Semiconductor et Texas Instruments établissant des positions solides. Le paysage concurrentiel est caractérisé par une innovation continue et des partenariats stratégiques visant à améliorer l'offre de produits. La présence d'installations de fabrication avancées et de centres de R&D renforce la position de la région en tant que pôle de technologie IGBT.

Europe : Soutien Réglementaire et Croissance

L'Europe est le deuxième plus grand marché pour les IGBT et les MOSFETs à jonction super, représentant environ 30 % de la part de marché mondiale. La région bénéficie de réglementations strictes visant à réduire les émissions de carbone, ce qui favorise l'adoption de technologies écoénergétiques. Le Pacte vert européen et diverses initiatives nationales sont essentiels pour encourager l'innovation et l'investissement dans les technologies des semi-conducteurs, en particulier dans les secteurs automobile et des énergies renouvelables. L'Allemagne, la France et les Pays-Bas sont des acteurs clés de ce marché, avec des entreprises comme STMicroelectronics et Nexperia en tête. Le paysage concurrentiel est marqué par un accent sur la durabilité et les avancées technologiques, avec des investissements significatifs dans la R&D. La présence d'une chaîne d'approvisionnement robuste et la collaboration entre les acteurs de l'industrie renforcent encore la dynamique du marché de la région.

Asie-Pacifique : Croissance Rapide et Adoption

La région Asie-Pacifique connaît une croissance rapide sur le marché des IGBT et des MOSFETs à jonction super, détenant environ 25 % de la part de marché mondiale. L'expansion de la région est alimentée par une industrialisation croissante, une urbanisation et une demande accrue de véhicules électriques. Les initiatives gouvernementales promouvant les énergies renouvelables et les technologies de réseau intelligent sont également des moteurs significatifs de la croissance du marché, créant un environnement réglementaire favorable pour les fabricants de semi-conducteurs. La Chine, le Japon et la Corée du Sud sont les pays leaders de cette région, avec des acteurs majeurs comme Mitsubishi Electric et Toshiba apportant des contributions substantielles. Le paysage concurrentiel est caractérisé par des stratégies de tarification agressives et des avancées technologiques. La présence d'une large base de consommateurs et d'un nombre croissant de startups dans le domaine des semi-conducteurs renforce encore le potentiel du marché de la région.

Moyen-Orient et Afrique : Potentiel de Marché Émergent

La région du Moyen-Orient et de l'Afrique émerge progressivement sur le marché des IGBT et des MOSFETs à jonction super, détenant actuellement environ 5 % de la part de marché mondiale. La croissance est principalement alimentée par des investissements croissants dans des projets d'énergie renouvelable et le développement d'infrastructures. Les gouvernements de la région se concentrent sur la diversification de leurs économies, ce qui inclut l'amélioration de leurs capacités technologiques dans la fabrication et les applications de semi-conducteurs. Des pays comme l'Afrique du Sud et les Émirats Arabes Unis sont à l'avant-garde, avec des initiatives visant à favoriser l'innovation et à attirer des investissements étrangers. Le paysage concurrentiel est encore en développement, avec quelques acteurs clés commençant à établir leur présence. Le potentiel de croissance de la région est significatif, surtout à mesure que la demande de solutions écoénergétiques continue d'augmenter.

Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super Regional Image

Acteurs clés et aperçu concurrentiel

Le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super est actuellement caractérisé par un paysage concurrentiel dynamique, alimenté par la demande croissante de solutions écoénergétiques dans divers secteurs, y compris l'automobile, l'industrie et les énergies renouvelables. Des acteurs clés tels qu'Infineon Technologies (Allemagne), Mitsubishi Electric (Japon) et ON Semiconductor (États-Unis) sont stratégiquement positionnés pour tirer parti de leurs avancées technologiques et de leurs vastes portefeuilles de produits. Infineon Technologies (Allemagne) se concentre sur l'innovation dans les technologies de semi-conducteurs de puissance, tandis que Mitsubishi Electric (Japon) met l'accent sur l'expansion régionale et les partenariats pour renforcer sa présence sur le marché. ON Semiconductor (États-Unis) poursuit activement des initiatives de transformation numérique pour optimiser ses opérations et améliorer l'engagement client. Collectivement, ces stratégies contribuent à un environnement concurrentiel de plus en plus axé sur la différenciation technologique et les solutions centrées sur le client.

En termes de tactiques commerciales, les entreprises localisent de plus en plus la fabrication pour réduire les délais de livraison et renforcer la résilience de la chaîne d'approvisionnement. La structure du marché semble modérément fragmentée, avec plusieurs acteurs en concurrence pour des parts de marché. Cependant, l'influence collective de grandes entreprises comme STMicroelectronics (France) et Texas Instruments (États-Unis) est notable, car elles continuent d'innover et d'élargir leurs offres. Cette structure concurrentielle favorise un environnement où la collaboration et les partenariats stratégiques sont essentiels pour maintenir un avantage concurrentiel.

En août 2025, Infineon Technologies (Allemagne) a annoncé le lancement d'une nouvelle famille d'IGBT conçus pour des applications de véhicules électriques, ce qui devrait améliorer l'efficacité et les performances. Ce mouvement stratégique souligne l'engagement d'Infineon à répondre à la demande croissante de solutions de mobilité électrique, positionnant l'entreprise de manière favorable sur un marché en évolution rapide. L'introduction de ces IGBT avancés pourrait avoir un impact significatif sur la dynamique concurrentielle en établissant de nouveaux repères de performance.

En septembre 2025, Mitsubishi Electric (Japon) a dévoilé un partenariat stratégique avec un grand constructeur automobile pour co-développer des modules de puissance de nouvelle génération. Cette collaboration devrait accélérer le développement de solutions innovantes adaptées aux véhicules électriques, renforçant ainsi la position concurrentielle de Mitsubishi Electric. De tels partenariats favorisent non seulement l'innovation, mais permettent également aux entreprises de partager des ressources et des expertises, ce qui est crucial dans un marché axé sur la technologie.

En juillet 2025, ON Semiconductor (États-Unis) a élargi ses capacités de fabrication en investissant dans une nouvelle installation axée sur la production de MOSFET à jonction super. Cet investissement reflète la stratégie d'ON Semiconductor visant à améliorer sa capacité de production et à répondre à la demande croissante de dispositifs de puissance haute performance. En renforçant ses capacités de fabrication, l'entreprise vise à améliorer la fiabilité et la réactivité de sa chaîne d'approvisionnement, qui sont des facteurs critiques pour maintenir sa compétitivité sur le marché.

À partir d'octobre 2025, les tendances actuelles sur le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super indiquent un fort accent sur la numérisation, la durabilité et l'intégration de l'intelligence artificielle dans le développement de produits. Les alliances stratégiques façonnent de plus en plus le paysage concurrentiel, alors que les entreprises reconnaissent la valeur de la collaboration pour stimuler l'innovation. À l'avenir, il semble que la différenciation concurrentielle évoluera d'une concurrence traditionnelle basée sur les prix vers un accent sur l'innovation technologique, la fiabilité accrue de la chaîne d'approvisionnement et des pratiques durables. Ce changement pourrait redéfinir la manière dont les entreprises se positionnent sur le marché, soulignant l'importance de l'adaptabilité et des stratégies tournées vers l'avenir.

Les principales entreprises du marché Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super incluent

Développements de l'industrie

  • Q2 2024 : Infineon lance de nouveaux MOSFETs CoolSiC™ et modules IGBT pour les applications industrielles et automobiles Infineon Technologies a annoncé le lancement de ses derniers MOSFETs CoolSiC™ et modules IGBT, ciblant les marchés de l'électronique de puissance industrielle et automobile. Les nouveaux produits sont conçus pour améliorer l'efficacité et la fiabilité dans les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.
  • Q2 2024 : onsemi étend sa capacité de fabrication de carbure de silicium et d'IGBT avec une nouvelle installation en République tchèque onsemi a ouvert une nouvelle installation de fabrication en République tchèque pour étendre sa capacité de production de dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) et d'IGBT, visant à répondre à la demande croissante des clients automobiles et industriels.
  • Q1 2024 : Mitsubishi Electric développe un nouveau module IGBT de 7ème génération pour les onduleurs de véhicules électriques Mitsubishi Electric a annoncé le développement de son module IGBT de 7ème génération, conçu pour une utilisation dans les onduleurs de véhicules électriques. Le nouveau module offre une densité de puissance et une efficacité améliorées pour les véhicules électriques de nouvelle génération.
  • Q2 2024 : STMicroelectronics et ZF forment une coentreprise pour des modules de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics et ZF ont annoncé une coentreprise pour produire des modules de puissance en carbure de silicium, y compris des MOSFETs à super jonction, pour des applications automobiles et industrielles. Le partenariat vise à accélérer l'adoption de l'électronique de puissance économe en énergie.
  • Q1 2024 : Renesas Electronics introduit de nouveaux MOSFETs à super jonction pour le marché des onduleurs solaires Renesas Electronics a lancé une nouvelle gamme de MOSFETs à super jonction optimisés pour les applications d'onduleurs solaires, offrant une efficacité supérieure et des pertes réduites pour les systèmes d'énergie renouvelable.
  • Q2 2024 : Infineon Technologies investit 1 milliard d'euros dans un nouveau centre de R&D pour IGBT et MOSFET en Allemagne Infineon Technologies a annoncé un investissement de 1 milliard d'euros pour construire un nouveau centre de recherche et développement en Allemagne, axé sur l'avancement des technologies IGBT et MOSFET à super jonction pour les marchés automobile et industriel.
  • Q1 2025 : Texas Instruments dévoile des pilotes de porte IGBT de nouvelle génération pour l'automatisation industrielle Texas Instruments a lancé ses pilotes de porte IGBT de nouvelle génération, conçus pour améliorer les performances et la fiabilité dans les systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle de moteur.
  • Q2 2024 : Hitachi Energy obtient un contrat majeur pour fournir des modules de puissance basés sur IGBT pour un projet d'électrification ferroviaire en Europe Hitachi Energy a remporté un contrat significatif pour fournir des modules de puissance basés sur IGBT pour un projet d'électrification ferroviaire à grande échelle en Europe, soutenant la transition vers un transport durable.
  • Q1 2025 : Fuji Electric annonce une nouvelle usine de fabrication pour des modules IGBT au Vietnam Fuji Electric a révélé des plans pour ouvrir une nouvelle usine de fabrication au Vietnam dédiée à la production de modules IGBT pour les clients automobiles et industriels, élargissant ainsi son empreinte mondiale.
  • Q2 2025 : Infineon Technologies nomme un nouveau directeur technique pour diriger l'innovation en semi-conducteurs de puissance Infineon Technologies a annoncé la nomination d'un nouveau directeur technique, chargé de stimuler l'innovation dans les technologies IGBT et MOSFET à super jonction pour les marchés émergents.
  • Q1 2024 : STMicroelectronics lance de nouveaux MOSFETs à super jonction pour les infrastructures de recharge rapide STMicroelectronics a introduit une nouvelle série de MOSFETs à super jonction conçus pour une utilisation dans les infrastructures de recharge rapide pour véhicules électriques, offrant une efficacité et des performances thermiques améliorées.
  • Q2 2025 : Mitsubishi Electric obtient un contrat de 200 millions de dollars pour fournir des modules IGBT à un fabricant de véhicules électriques chinois Mitsubishi Electric a été attribué un contrat de 200 millions de dollars pour fournir des modules IGBT à un important fabricant de véhicules électriques chinois, soutenant l'expansion de la production de véhicules électriques en Chine.

Perspectives d'avenir

Marché des IGBT et des MOSFET à jonction super Perspectives d'avenir

Le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super est prévu de croître à un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 5,37 % de 2024 à 2035, soutenu par les avancées dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et l'automatisation industrielle.

De nouvelles opportunités résident dans :

  • Développement de modules d'alimentation à haute efficacité pour les systèmes d'énergie renouvelable.

D'ici 2035, le marché devrait consolider sa position de leader dans l'électronique de puissance.

Segmentation du marché

Perspectives de type de marché des IGBT et des MOSFET à jonction super

  • Transistor bipolaire à porte isolée
  • MOSFET à jonction super
  • MOSFET SiC
  • MOSFET GaN

Perspectives d'application du marché des IGBT et des MOSFET à jonction super

  • Énergie renouvelable
  • Automobile
  • Électronique grand public
  • Automatisation industrielle
  • Télécommunications

Perspectives d'utilisation finale du marché des IGBT et des MOSFET à jonction super

  • Électronique de puissance
  • Entraînements de moteurs
  • Alimentations à découpage
  • Systèmes de stockage d'énergie

Perspectives de la tension nominale du marché des IGBT et des MOSFET à jonction super

  • Basse Tension
  • Tension Moyenne
  • Haute Tension

Portée du rapport

TAILLE DU MARCHÉ 202417,34 (milliards USD)
TAILLE DU MARCHÉ 202518,27 (milliards USD)
TAILLE DU MARCHÉ 203530,83 (milliards USD)
TAUX DE CROISSANCE ANNUEL COMPOSÉ (CAGR)5,37 % (2024 - 2035)
COUVERTURE DU RAPPORTPrévisions de revenus, paysage concurrentiel, facteurs de croissance et tendances
ANNÉE DE BASE2024
Période de prévision du marché2025 - 2035
Données historiques2019 - 2024
Unités de prévision du marchémilliards USD
Principales entreprises profiléesAnalyse de marché en cours
Segments couvertsAnalyse de segmentation du marché en cours
Principales opportunités de marchéLa demande croissante de solutions écoénergétiques stimule l'innovation sur le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super.
Dynamiques clés du marchéLa demande croissante de solutions écoénergétiques stimule l'innovation et la concurrence sur le marché des IGBT et des MOSFET à jonction super.
Pays couvertsAmérique du Nord, Europe, APAC, Amérique du Sud, MEA

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FAQs

Quelle est la valorisation de marché projetée pour le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction en 2035 ?

La valorisation de marché projetée pour le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction en 2035 est de 30,83 milliards USD.

Quelle était la valorisation globale du marché des IGBT et des MOSFET Super Junction en 2024 ?

La valorisation globale du marché des IGBT et des MOSFET à jonction super en 2024 était de 17,34 milliards USD.

Quelle est la CAGR attendue pour le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction pendant la période de prévision 2025 - 2035 ?

Le CAGR attendu pour le marché des IGBT et des MOSFET à Super Jonction pendant la période de prévision 2025 - 2035 est de 5,37 %.

Quel segment d'application devrait connaître la plus forte croissance sur le marché des IGBT et des MOSFET Super Junction ?

Le segment des applications d'automatisation industrielle devrait passer de 5,0 milliards USD en 2024 à 8,0 milliards USD d'ici 2035.

Comment les évaluations des transistors bipolaires à porte isolée se comparent-elles à celles des MOSFETs à super jonction ?

Les transistors bipolaires à grille isolée sont évalués à 6,0 milliards USD en 2024, avec une projection d'atteindre 10,5 milliards USD d'ici 2035, tandis que les MOSFETs à jonction super sont attendus pour passer de 4,5 milliards USD à 8,0 milliards USD.

Quels sont les acteurs clés du marché des IGBT et des MOSFET à Super Jonction ?

Les principaux acteurs du marché incluent Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Texas Instruments, Toshiba, Nexperia, Renesas Electronics et Vishay Intertechnology.

Quelle est la croissance projetée pour le segment des Électroniques Grand Public sur le marché des IGBT et des MOSFET Super Jonction ?

Le segment de l'électronique grand public devrait passer de 2,5 milliards USD en 2024 à 4,5 milliards USD d'ici 2035.

Quel segment de tension montre le plus grand potentiel de croissance sur le marché des IGBT et des MOSFET à Super Jonction ?

Le segment Haute Tension devrait passer de 6,14 milliards USD en 2024 à 11,23 milliards USD d'ici 2035.

Quel segment d'utilisation finale devrait avoir la plus haute valorisation d'ici 2035 ?

Le segment d'utilisation finale des systèmes de stockage d'énergie devrait atteindre une valorisation de 9,33 milliards USD d'ici 2035.

Comment le marché des Motor Drives se compare-t-il à celui des Power Electronics en termes de croissance ?

Le segment des entraînements électriques devrait passer de 4,0 milliards USD en 2024 à 7,0 milliards USD d'ici 2035, tandis que l'électronique de puissance devrait augmenter de 5,0 milliards USD à 9,0 milliards USD.

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