As per MRFR Analysis, the Global GaN Semiconductor Devices Market was valued at USD 10,998.5 Million in 2023 and is projected to reach USD 60,234.2 Million by 2032, growing at a CAGR of 20.83% from 2024 to 2032. GaN technology is gaining traction due to its superior performance over silicon, particularly in high-power applications and electric vehicles. The market is driven by the increasing demand for energy-efficient solutions and the adoption of GaN in various sectors, including automotive and consumer electronics.
The GaN Semiconductor Devices Market is witnessing significant growth driven by technological advancements and increasing applications.
Key players include Fujitsu Ltd., Panasonic Corporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, Aixtron SE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, Koninklijke Philips N.V., and Qorvo.
GaN 반도체 소자 시장 규모는 2023년 1억 9,985만 달러로 평가되었습니다. GaN 반도체 소자 산업은 2024년 1억 3,253.19만 달러에서 2032년 6억 2,342만 달러로 성장할 것으로 예상되며, 예측 기간(2024년~2032년) 동안 연평균 성장률(CAGR)은 20.83%에 달할 것으로 예상됩니다.
질화갈륨(GaN)은 고온에서 작동할 수 있는 고전력 트랜지스터에 적합한 이진 III/V 직접 밴드갭 반도체입니다. 매우 단단하고 기계적으로 안정적인 와이드 밴드갭 반도체로, 절연 파괴 강도, 스위칭 속도, 열전도도 및 온 저항 측면에서 실리콘 기반 소자보다 훨씬 우수한 성능을 보입니다. GaN은 실리콘 소자보다 우수한 특성, 특히 고주파 특성 덕분에 채택이 확대되고 있습니다. 전 세계적으로 에너지 수요가 증가함에 따라, GaN 기술로의 전환은 탄소 배출량을 최소화하면서 에너지 수요를 충족하는 데 도움이 될 것입니다. GaN 설계 및 통합은 기존의 느린 실리콘 칩보다 탄소 발자국이 10배 낮은 차세대 전력 반도체를 제공하는 것으로 나타났습니다.
출처: 2차 조사, 1차 조사, MRFR 데이터베이스 및 분석가 리뷰
전기 및 하이브리드 전기 자동차의 사용 증가로 인해 GaN 반도체 소자 시장이 향후 성장할 것으로 예상됩니다. 외부에서 충전이 가능한 배터리로 구동되는 전기 모터가 장착된 차량을 전기 자동차라고 합니다.전기 자동차는 고효율 전력 트랜지스터와 질화갈륨 반도체로 만든 집적 회로를 사용합니다. GaN 반도체 소자는 실리콘에 비해 여러 가지 이점을 제공하는데, 예를 들어 전기 자동차 애플리케이션에서 밴드갭이 3배, 파괴 전계 강도가 10배 높습니다.
예를 들어, 에너지 정보를 수집, 분석 및 배포하는 임무를 맡은 미국 정부 기관인 에너지 정보국(EIA)은 2021년 10월 보고에서 2020년 전 세계적으로 13억 1천만 대의 경량 차량(LDV)이 운행 중이었으며 2050년까지 22억 1천만 대가 운행될 것으로 예상된다고 밝혔습니다. 마찬가지로 충전 포트가 있는 전기 자동차(EV) 또는 LDV의 수는 2020년 전 세계 LDV 차량의 0.7%에서 2050년에는 31%, 즉 6억 7,200만 대로 증가할 것으로 예상됩니다. 결과적으로, GaN 반도체 소자 시장은 전기 및 하이브리드 자동차의 사용 증가에 힘입어 성장하고 있습니다.
소자 기준으로 GaN 반도체 소자 시장 세분화에는 트랜지스터, 다이오드, 정류기, 전력 IC, 공급 및 인버터, 증폭기, 조명 및 레이저, 스위칭 시스템 등이 포함됩니다. 트랜지스터 부문은 2022년에 시장 매출의 약 28.0%를 차지하며 시장 점유율 과반수를 차지했습니다. 트랜지스터 시장 부문은 가장 높은 시장 점유율을 기록했습니다. 질화갈륨 기반 전력 트랜지스터는 통신 기지국용 전력 트랜지스터 수요 증가, 특히 급성장하는 4G 기술 기반 시장에서 더욱 인기를 얻고 있습니다. 트랜지스터 부문의 상당한 시장 점유율은 효율성이 높고 높은 전력 및 주파수 요구를 처리할 수 있는 기존 실리콘 기반 트랜지스터에서 벗어나는 추세에 영향을 받았습니다.
수직 시장 분석에 따르면, GaN 반도체 소자 시장 세분화에는 자동차, 산업, 방위 및 항공우주, 소비자 가전, 통신, 의료 및 기타가 포함됩니다. 소비자 가전 부문은 2022년 시장 매출의 약 25.9%를 차지하며 가장 큰 점유율을 기록했습니다. GaN 반도체 소자는 노트북, 디스플레이, 모바일 기기 등 다양한 소비재 분야에 천천히 그러나 꾸준히 진출하여 매출 성장률을 가속화하고 있습니다. 고휘도 조명과 효과적인 전력 변환 및 스위칭이 소비자 시장에서 인기를 얻으면서, 이 산업의 여러 분야에서 GaN 광반도체 및 전력 반도체 소자에 대한 엄청난 수요가 발생할 것으로 예상됩니다.
출처: 2차 조사, 1차 조사, MRFR 데이터베이스 및 분석가 리뷰
웨이퍼 크기를 기준으로 GaN 반도체 소자 시장은 2인치, 4인치, 6인치, 그리고 6인치 이상으로 구분됩니다. 웨이퍼 크기별로는 4인치 부문이 2022년 시장 점유율 33.4%로 가장 큰 비중을 차지할 것으로 예상됩니다. 4인치 웨이퍼 부문은 예측 기간 동안 가장 큰 시장 점유율을 기록했습니다. 이러한 성장은 광전자 장비, 통신 프런트엔드, 고전력 증폭기 및 고온 장비에 대한 수요 증가에 기인합니다. 우주 통신 애플리케이션에 대한 4인치 기판의 다재다능성 또한 성장에 박차를 가할 것으로 예상됩니다.
유형별로 보면, GaN 반도체 소자 시장 세분화에는 전력 반도체, RF 반도체, 광 반도체가 포함됩니다. 유형별로 보면, 광 반도체 부문이 2022년 시장 점유율 35.7%로 가장 큰 비중을 차지했습니다. 광반도체 부문이 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다. 이 시장은 LED, 컴퓨터, 휴대용 전자 기기, 산업용 애플리케이션을 포함한 가전제품의 효율성 향상에 대한 수요 증가에 의해 주도되고 있습니다. 또한, 의료 및 자동차 산업과 같은 분야에서도 점점 더 주목을 받고 있습니다. LED 디스플레이 패널과 헤드업 디스플레이에 대한 수요 증가는 이 시장 확장의 주요 원동력입니다.
그림 2: GaN 반도체 소자 시장, 유형별, 2022년 및 2032년(백만 달러)
출처: 2차 조사, 1차 조사, MRFR 데이터베이스 및 분석가 리뷰
지역별로 이 연구는 북미, 유럽, 아시아 태평양, 중동 및 아프리카, 남미에 대한 시장 통찰력을 제공합니다. 매출 측면에서 아시아 태평양 지역은 2022년 GaN 반도체 소자 시장에서 46.9%의 점유율로 가장 큰 비중을 차지했으며, 예측 기간 동안 이러한 우위를 유지할 것으로 예상됩니다. 주요 업체들의 존재와 이 지역의 인프라 개발에 대한 집중은 시장 성장에 기여합니다. 아시아 태평양 지역의 GaN 반도체 소자 시장은 예측 기간 동안 크게 성장할 것으로 예상됩니다. 기술 발전의 증가와 그에 따른 효과적이고 고성능의 RF 부품 수요 증가로 인해 아시아 태평양 지역 산업은 예측 기간 동안 다른 지역 시장보다 가장 빠른 속도로 성장할 것으로 예상됩니다. 중국과 일본과 같은 국가는 LED 디스플레이 장치, 휴대폰, 게임 콘솔을 포함한 이 지역의 주요 가전 제조업체입니다. 이는 아시아 태평양 지역 시장의 확장을 크게 촉진합니다. 또한,
2022년 6월- Tata Steel Limited(‘Tata Steel’)는 Tata Steel의 자회사인 Tata Steel Long Products Limited(‘TSLP’)가 MMTC Ltd., NMDC Ltd., MECON Ltd., Bharat Heavy Electricals Ltd., Industrial Promotion and Investment Corporation of Odisha Ltd., Odisha Mining Corporation Ltd., 인도 대통령, 오디샤 주 정부로부터 연간 100만 톤 규모의 Neelachal Ispat Nigam Limited(‘NINL’)의 93.71%를 인수했다고 발표했습니다.
그림 3: 지역별 GAN 반도체 소자 시장 규모 2022년 및 2032
출처: 2차 조사, 1차 조사, MRFR 데이터베이스 및 분석가 검토
또한 시장 보고서에서 연구된 주요 국가는 미국, 캐나다, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 스페인, 중국, 일본, 인도, 호주, 한국 및 브라질입니다.
북미는 이 지역에서 두 번째로 큰 시장입니다. 북미는 질화갈륨 반도체 기술에 대한 막대한 투자와 여러 사업 분야에서 첨단 전자 기술이 광범위하게 사용되고 있기 때문에 예측 기간 동안 GaN 반도체 소자 시장을 주도할 것으로 예상됩니다. 정부의 GaN 기반 전력 반도체 소자 개발 계획은 북미에서 MBE 시스템에 대한 관심을 높일 것으로 예상됩니다.
예측 기간 동안 유럽은 군사, 응급 의료 서비스, 해양 석유 및 가스 개발 분야에서 반도체 소자에 대한 수요 증가로 인해 GaN 반도체 소자 시장에서 가장 빠른 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 또한, 항공우주 산업과 여러 유명 기업들이 이 지역의 GaN 반도체 소자 시장 확장을 촉진하고 있습니다. 확대되는 가전 시장은 이 지역의 GaN 반도체 소자 산업에도 영향을 미치고 있습니다.
기타 지역의 GaN 반도체 소자 시장은 질화갈륨 반도체 기술에 대한 상당한 투자와 이 지역의 다양한 분야에서 최신 전자 기술이 광범위하게 사용되고 있기 때문에 예측 기간 동안 크게 성장할 것으로 예상됩니다.
다양한 유형과 지역에 걸쳐 강력한 입지를 구축하고 있는 GaN 반도체 소자 시장은 경쟁이 매우 치열하며, 기존 순수 업체들이 주도하고 있습니다. 이러한 업체들은 다양한 고객층을 충족할 수 있는 탄탄한 지리적 입지와 파트너 생태계를 갖추고 있습니다. GaN 반도체 소자 시장은 경쟁이 매우 치열하며, 많은 업체들이 유사한 제품과 서비스를 제공하고 있습니다.
이 시장의 주요 업체로는 Fujitsu Ltd., Panasonic Corporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V. 등이 있습니다. Philips는 반도체 산업의 선도적인 혁신 기업으로, 끊임없이 새로운 GaN 기반 기술을 개발하고 있습니다. 예를 들어, Philips는 2022년에 세계 최고 효율을 자랑하는 새로운 GaN 전력 트랜지스터 개발을 발표했습니다. 필립스는 전력 트랜지스터, RF 증폭기, LED 등 다양한 GaN 기반 제품을 제공합니다. 이를 통해 필립스는 가전 제조업체부터 산업용 전력 사용자까지 다양한 고객의 요구를 충족할 수 있습니다.
Qorvo는 고성능 제품으로 유명한 GaN 반도체 소자의 선도적인 공급업체입니다. 예를 들어, Qorvo의 GaN 전력 트랜지스터는 세계 최고 효율을 자랑합니다. Qorvo는 전력 트랜지스터, RF 증폭기, 프런트엔드 모듈 등 다양한 GaN 기반 제품을 제공합니다. 이를 통해 Qorvo는 가전 제조업체부터 산업용 전력 사용자까지 다양한 고객의 요구를 충족할 수 있습니다. GaN 반도체 소자 시장은 경쟁 심화, 인수, 합병, 기타 전략적 시장 동향 및 운영 효율성 향상을 위한 의사 결정으로 인해 통합된 시장으로 성장하고 있습니다.
2024년 4월: Weltrend Semiconductor와 GaN 기업인 Transphorm은 스마트폰, 태블릿, 노트북, 헤드폰, 드론, 스피커 또는 카메라와 같은 기기에 사용할 수 있는 고성능, 저프로파일 USB-C 전원 어댑터용으로 특별히 개발된 두 가지 새로운 GaN 시스템 인 패키지(SiP)를 출시했습니다. 이 새로운 소자는 작년에 공개된 Weltrend의 주력 GaN SiP와 결합되어 Transphorm의 SuperGaN 플랫폼 기반 최초의 SiP 제품군을 구성합니다.
2023년 9월: Gallium Semiconductor는 2.4~2.5GHz 300W 사전 매칭된 이산 GaN-on-SiC 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)인 GTH2e-2425300P ISM 연속파 증폭기를 출시했습니다. 이 증폭기는 광범위한 산업 과학 및 의료 응용 분야에 적합하도록 설계되었으며, 반도체 플라즈마 소스 및 합성 다이아몬드 생산을 위한 마이크로파 플라즈마 화학 기상 증착(MPCVD) 장비를 포함하되 이에 국한되지 않습니다. 지금까지 RF 전력 성능 측면에서 이 수준의 효율은 존재하지 않았습니다! 2.4GHz~2.5GHz 주파수 범위에서 작동하며 50V 전원 레일을 통해 구동되므로 RF 전력 성능에 대한 모든 기존 기준을 뒤엎는 획기적인 효율 등급을 제공합니다. 이 HEMT는 로옴이 추구하는 모든 것을 구현합니다. 바로 무선 주파수 성능 향상에 대한 헌신입니다. 이 제품과 같은 제품은 펄스 모드 동작 시 최대 효율이 75%를 넘고, 듀티 사이클은 100%에 달합니다.
일본의 전력 반도체 제조업체인 로옴(ROHM)은 2023년 8월, 데이터 서버를 포함한 산업 및 소비자 애플리케이션의 주요 전원 공급 장치에 최적화된 게이트 드라이버가 내장된 EcoGaN 전력단 IC BM3G0xxMUV-LB 시리즈를 개발했다고 발표했습니다. 소비자 및 산업 분야는 전 세계적인 지속가능성 목표 달성을 위해 에너지 절감을 점점 더 요구하고 있지만, 소형화와 효율 향상이 신뢰성 저하를 초래해서는 안 됩니다. 따라서 실리콘 MOSFET에 비해 GaN HEMT의 게이트를 처리하는 데는 특별한 주의가 필요하며, 이를 위해 전용 게이트 드라이버가 필요합니다.
2022년 4월: 모스크바에서 개최된 국가 석유 및 가스 포럼에서 TMK는 TMK의 R&D 시설에서 부식 방지 및 운영 신뢰성을 위해 지하에 이산화탄소를 주입하는 데 사용되는 파이프용 새로운 강종 출시에 주력하고 있다고 발표했습니다.
2022년 4월: TMK는 Chelpipe 인수를 발표했습니다. 이번 인수에는 생산, 유통 및 서비스 자산, 폐기물 수거 및 처리 시설, 그리고 첼피프의 간선 파이프라인 시스템 운영과 관련된 기타 자산이 포함됩니다.
| Attribute/Metric | Details |
| Market Size 2023 | USD 10998.5 Million |
| Market Size 2024 | USD 13253.19 Million |
| Market Size 2032 | USD 60234.2 Million |
| Compound Annual Growth Rate (CAGR) | 20.83% (2024-2032) |
| Base Year | 2023 |
| Market Forecast Period | 2024-2032 |
| Historical Data | 2019- 2022 |
| Market Forecast Units | Value (USD Million) |
| Report Coverage | Revenue Forecast, Market Competitive Landscape, Growth Factors, and Trends |
| Segments Covered | Device, vertical, Wafer Size, , Type, and Region |
| Geographies Covered | Europe, North America, Asia-Pacific, Middle East & Africa, and South America |
| Countries Covered | The U.S, Germany, Canada, U.K., Italy, France, Spain, Japan, China, Australia, India, South Korea, Brazil, and others. |
| Key Companies Profiled | Fujitsu Ltd., Panasonic Coporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V., Qorvo, Efficient Power Conversion Corporation, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Intel Corporation, GLOBALFOUNDRIES, Semiconductor Manufacturing International Corp. |
| Key Market Opportunities | Advent Of 5G Network Applications In Electric and Hybrid Electric Vehicles |
| Key Market Dynamics | Demand For Gan Power Semiconductors in Consumer Electronics and Automotive. Increasing Adoption of Gan Rf Semiconductor Devices In Military |
Frequently Asked Questions (FAQ):
The GaN Semiconductor Devices Market size is expected to be valued at USD 10998.5 Million in 2023.
The global market is projected to grow at a CAGR of 20.83% during the forecast period, 2024-2032.
North America had the largest share of the global market.
The key players in the market are Fujitsu Ltd., Panasonic Coporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V., Qorvo, Efficient Power Conversion Corporation, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Intel Corporation, GLOBALFOUNDRIES, Semiconductor Manufacturing International Corp., and Others.
The Consumer Electronics category dominated the market in 2022.
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Senior Research Analyst Ankit gupta is an analyst in market research industry in ict and semi industry. with post-graduation in "telecom and marketing management" and graduation in "electronics and telecommunication" vertical he is well versed with recent development in ict industry as a whole. having worked on more than 150+ reports including consultation for fortune 500 companies such as microsoft and rio tinto in identifying solutions with respect to business problems his opinions are inclined towards mixture of technical and managerial aspects.
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