GaN Semiconductor Devices Market Summary
As per MRFR Analysis, the Global GaN Semiconductor Devices Market was valued at USD 10,998.5 Million in 2023 and is projected to reach USD 60,234.2 Million by 2032, growing at a CAGR of 20.83% from 2024 to 2032. GaN technology is gaining traction due to its superior performance over silicon, particularly in high-power applications and electric vehicles. The market is driven by the increasing demand for energy-efficient solutions and the adoption of GaN in various sectors, including automotive and consumer electronics.
Key Market Trends & Highlights
The GaN Semiconductor Devices Market is witnessing significant growth driven by technological advancements and increasing applications.
- Market Size in 2023: USD 10,998.5 Million.
- Projected Market Size by 2032: USD 60,234.2 Million.
- CAGR from 2024 to 2032: 20.83%.
- Asia-Pacific held the largest market share in 2022 at 46.9%.
Market Size & Forecast
2023 Market Size: USD 10,998.5 Million
2024 Market Size: USD 13,253.19 Million
2032 Market Size: USD 60,234.2 Million
CAGR (2024-2032): 20.83%.
Major Players
Key players include Fujitsu Ltd., Panasonic Corporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, Aixtron SE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, Koninklijke Philips N.V., and Qorvo.
Panorama general del mercado global de dispositivos semiconductores de GaN
El tamaño del mercado de dispositivos semiconductores de GaN se valoró en 10 998,5 millones de dólares en 2023. Se proyecta que la industria de dispositivos semiconductores de GaN crezca de 13 253,19 millones de dólares en 2024 a 60 234,2 millones de dólares en 2032, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 20,83 % durante el período de pronóstico (2024-2032).
El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor binario de banda prohibida directa III/V, ideal para transistores de alta potencia capaces de operar a altas temperaturas. Es un semiconductor de banda prohibida amplia, muy duro y mecánicamente estable, que supera significativamente a los dispositivos de silicio en términos de resistencia a la ruptura, velocidad de conmutación, conductividad térmica y resistencia de encendido. El GaN está comenzando a adoptarse debido a sus propiedades superiores a las de los dispositivos de silicio, como sus excelentes características de alta frecuencia. A medida que aumenta la demanda mundial de energía, la transición a la tecnología de GaN ayudará a satisfacerla, manteniendo al mismo tiempo las emisiones de carbono al mínimo. Se ha demostrado que el diseño y la integración de GaN ofrecen semiconductores de potencia de última generación con una huella de carbono diez veces menor que la de los chips de silicio más antiguos y lentos.
Fuente: Investigación secundaria, investigación primaria, base de datos MRFR y revisión de analistas
Oportunidad de mercado en dispositivos semiconductores de GaN
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Aplicaciones en vehículos eléctricos e híbridos
Se prevé que el mercado de dispositivos semiconductores de GaN se desarrolle en el futuro debido al creciente uso de vehículos eléctricos e híbridos. Un vehículo con un motor eléctrico alimentado por una batería que puede cargarse externamente se denomina coche eléctrico.Los vehículos eléctricos utilizan transistores de potencia de alta eficiencia y circuitos integrados hechos de semiconductores de nitruro de galio. Los dispositivos semiconductores de GaN ofrecen varias ventajas sobre el silicio, como una brecha de banda triple y una intensidad de campo eléctrico de ruptura diez veces mayor en aplicaciones de vehículos eléctricos.
Por ejemplo, la Administración de Información Energética (EIA), una agencia gubernamental estadounidense encargada de recopilar, analizar y difundir información energética, informó en octubre de 2021 que había 1310 millones de vehículos ligeros (VLM) en uso en todo el mundo en 2020 y que se prevé que habrá 2210 millones de VLM para 2050. De igual forma, se prevé que la cantidad de coches eléctricos (VE), o cualquier VLM con puerto de carga, aumentará del 0,7 % de la flota mundial de VLM en 2020 al 31 % en 2050, o 672 millones de vehículos. Como resultado, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN se ve impulsado por el creciente uso de vehículos eléctricos e híbridos.
Información sobre los segmentos de componentes del mercado de dispositivos semiconductores de GaN:
Dispositivos semiconductores de GaN: información sobre dispositivos
Según el dispositivo, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye transistores, diodos, rectificadores, circuitos integrados de potencia, fuentes de alimentación e inversores, amplificadores, iluminación y láser, sistemas de conmutación y otros. El segmento de transistores tuvo la mayor participación en 2022, contribuyendo con aproximadamente el 28,0 % a los ingresos del mercado. El segmento de transistores tuvo la mayor participación de mercado. Los transistores de potencia basados en nitruro de galio se han vuelto más populares debido a la creciente demanda de transistores de potencia para estaciones base de telecomunicaciones, especialmente en el floreciente mercado de la tecnología 4G. La importante cuota de mercado del segmento de transistores se ha visto influenciada por el abandono de los transistores convencionales de silicio, que son más eficientes y pueden gestionar altas demandas de potencia y frecuencia.
Análisis de la vertical de dispositivos semiconductores de GaN
Según la vertical, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye los sectores automotriz, industrial, de defensa y aeroespacial, electrónica de consumo, telecomunicaciones, médico y otros. El segmento de electrónica de consumo tuvo la mayor participación en 2022, aportando aproximadamente un 25,9 % a los ingresos del mercado. Los dispositivos semiconductores de GaN se están abriendo paso de forma lenta pero constante en diversas categorías de productos de consumo, como portátiles, pantallas, dispositivos móviles, etc., lo que acelera el crecimiento de los ingresos. Debido a la popularidad de la iluminación de alto brillo y la conversión y conmutación de energía efectivas en los segmentos de consumo, se prevé que muchos sectores de esta industria generen una enorme demanda de dispositivos opto-semiconductores de GaN y semiconductores de potencia.
Fuente: Investigación Secundaria, Investigación Primaria, Base de Datos MRFR y Revisión de Analistas
Información sobre el Tamaño de Oblea de Dispositivos Semiconductores de GaN
Según el Tamaño de Oblea, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas y más de 6 pulgadas. Por tamaño de oblea, el segmento de 4 pulgadas ostentaba la mayor participación de mercado en 2022, con un 33,4 %. La categoría de obleas de 4 pulgadas mantuvo la mayor participación de mercado durante el período de pronóstico. Esta expansión se debe a la creciente demanda de equipos optoelectrónicos, interfaces de telecomunicaciones, amplificadores de alta potencia y equipos de alta temperatura. También se espera que la versatilidad de un sustrato de 4 pulgadas para aplicaciones de comunicación espacial impulse la expansión.
Información sobre los tipos de dispositivos semiconductores de GaN
Según el tipo, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye semiconductores de potencia, semiconductores de RF y semiconductores ópticos. Por tipo, el segmento de semiconductores ópticos mantuvo la mayor participación de mercado en 2022, con un 35,7 %. El segmento de semiconductores ópticos representó la mayor participación de mercado. Este mercado está impulsado principalmente por la creciente demanda de mayor eficiencia en la electrónica de consumo, incluyendo LED, computadoras, dispositivos electrónicos portátiles y aplicaciones industriales. Además, está ganando reconocimiento en sectores como la salud y la industria automotriz. La creciente demanda de paneles de visualización LED y pantallas de visualización frontal es un impulsor significativo de la expansión de este mercado.
Figura 2: Mercado de dispositivos semiconductores de GaN, por tipo, 2022 y 2032 (millones de USD)
Fuente: Investigación secundaria, investigación primaria, base de datos MRFR y revisión de analistas
Perspectivas regionales de dispositivos semiconductores de GaN
Por región, el estudio proporciona información de mercado en América del Norte, Europa, Asia-Pacífico, Oriente Medio y África, y América del Sur. En términos de ingresos, Asia-Pacífico tuvo la mayor participación, con un 46,9%, en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN en 2022 y se espera que mantenga su dominio durante el período de pronóstico. La presencia de actores clave y la atención al desarrollo de infraestructura en la región contribuyen al crecimiento del mercado. Se prevé que el mercado de dispositivos semiconductores de GaN en Asia-Pacífico crezca significativamente durante el período de pronóstico. Debido a la creciente mejora tecnológica y la consiguiente demanda de componentes de radiofrecuencia (RF) eficaces y de alto rendimiento, se prevé que la industria regional de Asia-Pacífico crezca al ritmo más rápido de cualquier mercado regional durante el período proyectado. Países como China y Japón se encuentran entre los principales fabricantes de electrónica de consumo de la región, incluyendo pantallas LED, teléfonos móviles y consolas de videojuegos. Esto impulsa significativamente la expansión del mercado local. Además,
En junio de 2022- Tata Steel Limited (‘Tata Steel’) anunció que Tata Steel Long Products Limited (‘TSLP’), una subsidiaria de Tata Steel, completó la adquisición del 93,71% en 1 millón de toneladas por año de Neelachal Ispat Nigam Limited (‘NINL’) de MMTC Ltd., NMDC Ltd., MECON Ltd., Bharat Heavy Electricals Ltd., Industrial Promotion and Investment Corporation of Odisha Ltd., Odisha Mining Corporation Ltd., Presidente de la India, Gobierno de Odisha.
Figura 3: TAMAÑO DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN POR REGIÓN 2022 y 2032
Fuente: Investigación secundaria, investigación primaria, base de datos MRFR y análisis de analistas
Además, los principales países estudiados en el informe de mercado son EE. UU., Canadá, Alemania, Francia, Reino Unido, Italia, España, China, Japón, India, Australia, Corea del Sur y Brasil.
América del Norte es el segundo mercado más grande de la región. Se prevé que América del Norte domine el mercado de dispositivos semiconductores de GaN durante el período de pronóstico debido a las grandes inversiones realizadas en tecnologías de semiconductores de nitruro de galio y al uso generalizado de electrónica sofisticada en la región en diversos sectores comerciales. Se prevé que las iniciativas gubernamentales de desarrollo de dispositivos semiconductores de potencia basados en GaN aumenten el interés en los sistemas MBE en Norteamérica. Se espera que Europa experimente el mayor crecimiento en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN durante el período de pronóstico debido al aumento de la demanda de dispositivos semiconductores por parte de las fuerzas armadas, los servicios médicos de emergencia y la explotación de petróleo y gas en alta mar. Además, la industria aeroespacial y varias empresas reconocidas están impulsando la expansión del mercado de dispositivos semiconductores de GaN en la región. El creciente mercado de la electrónica de consumo también está impactando la industria de dispositivos semiconductores de GaN en la región. Se prevé que el mercado de dispositivos semiconductores de GaN en el resto del mundo crezca sustancialmente durante el período de pronóstico debido a las importantes inversiones realizadas en tecnologías de semiconductores de nitruro de galio y al amplio uso de la electrónica moderna en los diferentes sectores de la región. Análisis de la competencia
Con una sólida presencia en diferentes tipos y geografías, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN es altamente competitivo y está dominado por proveedores especializados consolidados. Estos proveedores cuentan con una sólida presencia geográfica y un ecosistema de socios para atender a diversos segmentos de clientes. El mercado de dispositivos semiconductores de GaN es altamente competitivo, con numerosos proveedores que ofrecen productos y servicios similares.
Entre los principales actores del mercado se encuentran Fujitsu Ltd., Panasonic Corporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V., entre otros. Philips es una empresa líder en innovación en la industria de los semiconductores y desarrolla constantemente nuevas tecnologías basadas en GaN. Por ejemplo, en 2022, Philips anunció el desarrollo de un nuevo transistor de potencia de GaN, considerado el más eficiente del mundo. Philips ofrece diversos productos basados en GaN, como transistores de potencia, amplificadores de RF y LED. Esto le permite satisfacer las necesidades de una amplia gama de clientes, desde fabricantes de electrónica de consumo hasta usuarios industriales de energía.Qorvo es un proveedor líder de dispositivos semiconductores de GaN, conocido por sus productos de alto rendimiento. Por ejemplo, sus transistores de potencia de GaN se encuentran entre los más eficientes del mundo. Qorvo ofrece diversos productos basados en GaN, incluyendo transistores de potencia, amplificadores de RF y módulos frontales. Esto le permite satisfacer las necesidades de una amplia gama de clientes, desde fabricantes de electrónica de consumo hasta usuarios industriales de energía. El mercado de dispositivos semiconductores de GaN es un mercado consolidado debido a la creciente competencia, adquisiciones, fusiones y otros desarrollos y decisiones estratégicas del mercado para mejorar la eficacia operativa.
Entre las empresas clave del mercado de dispositivos semiconductores de GaN se incluyen
- Osram Opto-Semiconductors
- Corporación de Conversión de Energía Eficiente
- Empresa de fabricación de semiconductores de Taiwán
- Semiconductores Manufacturing International Corp.
Desarrollos de la industria de dispositivos semiconductores de GaN
Abril de 2024: Weltrend Semiconductor y Transphorm, la empresa de GaN, publicaron dos nuevos sistemas en paquete (SiP) de GaN, creados especialmente para adaptadores de corriente USB-C de bajo perfil y alto rendimiento que podrían usarse con dispositivos como teléfonos inteligentes, tabletas, computadoras portátiles, auriculares, drones, altavoces o cámaras. Estos novedosos dispositivos representan la primera familia de productos SiP basada en la plataforma SuperGaN de Transphorm, al combinarse con el SiP GaN insignia de Weltrend, presentado el año pasado.
Septiembre de 2023: Gallium Semiconductor lanzó un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) discreto de GaN sobre SiC preadaptado de 2,4-2,5 GHz y 300 W, el amplificador de onda continua ISM GTH2e-2425300P, diseñado para una amplia gama de aplicaciones industriales, científicas y médicas, incluyendo, entre otras, fuentes de plasma semiconductor, así como equipos de deposición química en fase de vapor por plasma de microondas (MPCVD) para la producción de diamantes sintéticos. Hasta ahora, no se había alcanzado un nivel de eficiencia tan alto en potencia de RF. Opera en el rango de frecuencia de 2,4 GHz a 2,5 GHz y se alimenta mediante una línea de alimentación de 50 V, lo que ofrece una eficiencia que revoluciona todos los parámetros conocidos sobre potencia de RF. Este HEMT encarna todo lo que representan: dedicación a la mejora del rendimiento de radiofrecuencia con productos como este, que alcanzan eficiencias máximas de más del setenta y cinco por ciento en tiempos de operación en modo pulsado de diez microsegundos y un cien por ciento. ROHM Co Ltd., fabricante japonés de semiconductores de potencia, anunció en agosto de 2023 el desarrollo de los circuitos integrados de etapa de potencia EcoGaN de la serie BM3G0xxMUV-LB, con controlador de puerta integrado, optimizado para fuentes de alimentación primarias en aplicaciones industriales y de consumo, como servidores de datos, entre otras. Los sectores de consumo e industrial exigen cada vez más un mayor ahorro energético en consonancia con los objetivos de sostenibilidad a nivel mundial; sin embargo, la miniaturización, al tiempo que mejora la eficiencia, no debe comprometer la fiabilidad. Por lo tanto, el manejo de la compuerta de los HEMT de GaN en comparación con los MOSFET de silicio requiere una atención especial, lo que requiere un controlador de compuerta dedicado.
Abril de 2022: Durante el Foro Nacional de Petróleo y Gas celebrado en Moscú, TMK anunció que se centra en el lanzamiento de nuevos grados de acero para tuberías utilizadas para inyectar dióxido de carbono bajo tierra para la protección contra la corrosión y la confiabilidad operativa en las instalaciones de I+D de TMK.
Abril de 2022: TMK anunció la adquisición de Chelpipe. Esta adquisición incluye activos de producción, distribución y servicio, unidades de recolección y procesamiento de chatarra, y otros activos involucrados en las operaciones de los sistemas de tuberías troncales de Chelpipe.
Segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN
Perspectiva de los dispositivos semiconductores de GaN
Perspectiva vertical de los dispositivos semiconductores GaN
- Defensa y defensa Aeroespacial
Perspectiva del tamaño de la oblea de los dispositivos semiconductores GaN
Tipo de dispositivos semiconductores GaN Outlook
- Semiconductores de potencia
Perspectiva regional de dispositivos semiconductores GaN
- FILA
- Oriente Medio y África África
| Attribute/Metric |
Details |
| Market Size 2023 |
USD 10998.5 Million |
| Market Size 2024 |
USD 13253.19 Million |
| Market Size 2032 |
USD 60234.2 Million |
| Compound Annual Growth Rate (CAGR) |
20.83% (2024-2032) |
| Base Year |
2023 |
| Market Forecast Period |
2024-2032 |
| Historical Data |
2019- 2022 |
| Market Forecast Units |
Value (USD Million) |
| Report Coverage |
Revenue Forecast, Market Competitive Landscape, Growth Factors, and Trends |
| Segments Covered |
Device, vertical, Wafer Size, , Type, and Region |
| Geographies Covered |
Europe, North America, Asia-Pacific, Middle East & Africa, and South America |
| Countries Covered |
The U.S, Germany, Canada, U.K., Italy, France, Spain, Japan, China, Australia, India, South Korea, Brazil, and others. |
| Key Companies Profiled |
Fujitsu Ltd., Panasonic Coporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V., Qorvo, Efficient Power Conversion Corporation, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Intel Corporation, GLOBALFOUNDRIES, Semiconductor Manufacturing International Corp. |
| Key Market Opportunities |
Advent Of 5G Network Applications In Electric and Hybrid Electric Vehicles |
| Key Market Dynamics |
Demand For Gan Power Semiconductors in Consumer Electronics and Automotive. Increasing Adoption of Gan Rf Semiconductor Devices In Military |
Frequently Asked Questions (FAQ):
The GaN Semiconductor Devices Market size is expected to be valued at USD 10998.5 Million in 2023.
The global market is projected to grow at a CAGR of 20.83% during the forecast period, 2024-2032.
North America had the largest share of the global market.
The key players in the market are Fujitsu Ltd., Panasonic Coporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V., Qorvo, Efficient Power Conversion Corporation, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Intel Corporation, GLOBALFOUNDRIES, Semiconductor Manufacturing International Corp., and Others.
The Consumer Electronics category dominated the market in 2022.
