Rapport d'étude de marché ReRAM : par type (ReRAM à base d'oxyde, RAM de pontage conductrice), par utilisateur final (informatique et télécommunications, électronique grand public, aérospatiale et défense, santé, autres) et par région (Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Moyen-Orient et Afrique, Amérique centrale et du Sud) - Prévisi...

Synopsis du marché

Le marché mondial du ReRAM devrait passer de 310,6 millions de dollars américains en 2018 à 655 millions de dollars américains d'ici 2025, à un TCAC de 16 % au cours de la période de prévision. Depuis quelques années, les technologies émergentes de mémoire non volatile, telles que la mémoire résistive à accès aléatoire (ReRAM), suscitent une attention particulière en raison de leur latence de lecture plus faible et de leurs performances d'écriture plus rapides. Avec l'avènement de l'intelligence artificielle, du calcul haute performance (HPC) et des appareils IoT, une quantité importante de données générées est dense et complexe. Pour traiter ces données de manière efficace, des technologies de mémoire innovantes sont nécessaires. Les sociétés de semi-conducteurs adoptent le ReRAM pour répondre aux exigences de l'intelligence artificielle et du HPC, car il permet de réduire considérablement la consommation d'énergie des systèmes modernes tout en améliorant les performances. Ainsi, le besoin d'une bande passante élevée, d'une faible consommation d'énergie et d'un dispositif de mémoire hautement évolutif pour des technologies telles que l'IA, l'IoT et le Big Data stimule la croissance du marché de la ReRAM. De plus, comme la ReRAM consomme beaucoup moins d'énergie que la mémoire flash NAND, elle convient parfaitement à la mémoire des capteurs destinés aux applications industrielles et automobiles. La ReRAM est souvent citée comme le substitut logique dans les applications telles que les disques SSD et les modules de mémoire en ligne doubles non volatils (NVDIMM) en raison de sa densité de mémoire plus élevée, de ses vitesses de lecture et d'écriture plus rapides et de sa faible consommation d'énergie. En outre, la demande croissante de mémoires non volatiles émergentes dans les appareils connectés devrait alimenter la croissance de ce marché au cours de la période de prévision. Cependant, comme ces mémoires reposent sur des mécanismes de commutation complexes et des matériaux exotiques, leur développement prend plus de temps. De plus, la disponibilité d'alternatives telles que la DRAM et le flash rend difficile pour la ReRAM de s'implanter sur le marché.

La ReRAM est un type de mémoire non volatile qui comprend un memristor, dont la résistance varie en fonction de la tension appliquée. La technologie ReRAM présente un fort potentiel en termes de densité de stockage élevée, de faible consommation d'énergie, de vitesses de lecture et d'écriture supérieures et d'un coût abordable par rapport à la mémoire flash en raison de la finesse des memresistors. Les deux principaux types de ReRAM disponibles sur le marché sont la ReRAM à base d'oxyde et la RAM à pontage conducteur. À l'heure actuelle, en raison de son énorme potentiel, ReRAM est sur le point de s'intégrer au grand public numérique.

Développements clés

• En septembre 2019, Hewlett-Packard Company a collaboré avec Hynix Semiconductor Inc. pour développer de nouveaux matériaux et une technologie d'intégration de processus afin de transférer la technologie des memristors de la recherche à la commercialisation. développement sous forme de mémoire vive résistive (ReRAM)

• En janvier 2019, l'Institut indien de technologie de Delhi (IITD) s'est associé à Weebit Nano, basé en Israël, pour travailler sur un projet de recherche qui appliquera la technologie SiOx ReRAM de Weebit aux puces informatiques utilisées pour l'IA

Segmentation

Le marché mondial du ReRAM a été segmenté en fonction du type, de l'utilisateur final et de la région.

Sur la base du type, le marché a été segmenté en ReRAM à base d'oxyde et en RAM à pontage conducteur.

Sur la base de l'utilisateur final, le marché a été segmenté en technologies de l'information et des télécommunications, en électronique grand public, en aérospatiale et en défense, en soins de santé, etc.

Le marché mondial du ReRAM, par région, a été classé en Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Moyen-Orient et Afrique, Amérique centrale et Amérique du Sud.

Analyse régionale

Le marché mondial du ReRAM devrait croître à un rythme significatif au cours de la période de prévision allant de 2019 à 2025. L'analyse géographique du marché du ReRAM a été réalisée pour l'Amérique du Nord, l'Europe, l'Asie-Pacifique, le Moyen-Orient et l'Afrique, ainsi que l'Amérique centrale et du Sud.

Source : Analyse MRFR

Analyse concurrentielle

Les principaux acteurs du marché ReRAM poursuivent le lancement de produits ReRAM haute densité en tant que stratégie de croissance clé pour augmenter encore leurs parts de marché. Par exemple, en 2019, Fujitsu Semiconductor Ltd, en collaboration avec Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd, a lancé une mémoire non volatile ReRAM de 8 Mo qui est efficace lorsque la lecture de données dépasse la simple écriture de données.

Principaux acteurs

Les principaux acteurs du marché ReRAM sont Crossbar Inc. (États-Unis), Fujitsu Limited (Japon), Intel Corporation (États-Unis), Panasonic Corporation (Japon), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Chine), SK Hynix Inc. (Sud) Corée), Adesto Technologies Corporation (États-Unis), Micron Technology, Inc. (États-Unis), TSMC (Taïwan), 4DS Memory Limited (États-Unis) et Reliance Memory (Chine), Sony Corporation (Japon), SanDisk (États-Unis), Weebit Nano (Australie) et Rambus Incorporated (États-Unis).

Public visé

• Fabricants de RAM


• Fournisseurs de technologies


• Fabricants d'équipements originaux


• Distributeurs et fournisseurs d'équipements


• Organismes de normalisation technologique


• Investisseurs technologiques


• Intégrateurs de systèmes


• Instituts de recherche, organisations et sociétés de conseil