ReRAM Market Research Report: Nach Typ (oxidbasiertes ReRAM, Conductive Bridging RAM), nach Endverbraucher (IT & Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gesundheitswesen, andere) und nach Regionen (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Mittlerer Osten und Afrika, Mittel- und Südamerika) - Prognose bi...

Zusammenfassung des Marktes

Der globale ReRAM-Markt wird voraussichtlich von 310,6 Millionen USD im Jahr 2018 auf 655 Millionen USD bis 2025 wachsen, was einer jährlichen Wachstumsrate von 16% im Prognosezeitraum entspricht. In den letzten Jahren haben neue nichtflüchtige Speichertechnologien wie resistive Random-Access-Memory (ReRAM) aufgrund ihrer geringeren Leselatenz und schnelleren Schreibleistung große Aufmerksamkeit erhalten. Mit dem Aufkommen von künstlicher Intelligenz, High-Performance Computing (HPC) und IoT-Geräten ist eine erhebliche Menge an generierten Daten dicht und komplex. Um diese Daten effizient verarbeiten zu können, sind innovative Speichertechnologien erforderlich. Halbleiterunternehmen setzen ReRAM ein, um die Anforderungen von künstlicher Intelligenz und HPC zu erfüllen, da es den Energieverbrauch moderner Systeme erheblich senken und gleichzeitig die Leistung verbessern kann. Daher fördert der Bedarf an hoher Bandbreite, geringem Stromverbrauch und hoch skalierbaren Speichergeräten für Technologien wie KI, IoT und Big Data das Wachstum des ReRAM-Marktes. Da ReRAM viel weniger Strom verbraucht als NAND-Flash, eignet es sich am besten für den Speicher in Sensorgeräten für Industrie- und Automobilanwendungen. ReRAM wird aufgrund seiner höheren Speicherdichte, schnelleren Lese- und Schreibgeschwindigkeiten und des geringeren Strombedarfs häufig als logischer Ersatz in Anwendungen wie Solid-State-Laufwerken (SSDs) und nichtflüchtigen Dual-Inline-Speichermodulen (NVDIMMs) angeführt. Darüber hinaus wird erwartet, dass die wachsende Nachfrage nach aufstrebenden nichtflüchtigen Speichern in angeschlossenen Geräten das Wachstum dieses Marktes im Prognosezeitraum ankurbeln wird. Da diese Speicher jedoch auf komplizierten Schaltmechanismen und exotischen Materialien beruhen, dauert die Entwicklung länger. Auch die Verfügbarkeit von Alternativen wie DRAM und Flash erschwert es dem ReRAM, auf dem Markt Fuß zu fassen.

ReRAM ist eine Art nichtflüchtiger Speicher, der einen Memristor umfasst, dessen Widerstand in Abhängigkeit von der angelegten Spannung variiert. ReRAM bietet aufgrund der geringen Mem-Widerstände ein großes Potenzial für eine hohe Speicherdichte, einen geringeren Stromverbrauch, höhere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten und erschwingliche Kosten als Flash-Speicher. Die beiden wichtigsten auf dem Markt erhältlichen RERAM-Typen sind ReRAM auf Oxidbasis und Conductive Bridging RAM. Derzeit steht ReRAM aufgrund seines enormen Potenzials kurz davor, Teil des digitalen Mainstreams zu werden.

Wichtige Entwicklungen

• Im September 2019 arbeitete die Hewlett-Packard Company mit Hynix Semiconductor Inc. zusammen, um neue Materialien und Prozessintegrationstechnologien zu entwickeln, um die Memristortechnologie von der Forschung auf den kommerziellen zu übertragen Entwicklung in Form von resistivem Random-Access-Memory (ReRAM)

• Im Januar 2019 hat sich das Indian Institute of Technology Delhi (IITD) mit Weebit Nano aus Israel zusammengetan, um an einem Forschungsprojekt zu arbeiten, das die SiOx ReRAM-Technologie von Weebit auf Computerchips anwenden wird, die für KI verwendet werden

Segmentierung

Der globale ReRAM-Markt wurde nach Typ, Endbenutzer und Region segmentiert.

Je nach Typ wurde der Markt in ReRAM auf Oxidbasis und Conductive Bridging RAM unterteilt.

Basierend auf Endverbrauchern wurde der Markt in IT & Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gesundheitswesen und andere unterteilt.

Der globale ReRAM-Markt wurde nach Regionen in Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, den Nahen Osten und Afrika sowie Mittel- und Südamerika unterteilt.

Regionale Analyse

Der globale ReRAM-Markt wird im Prognosezeitraum von 2019 bis 2025 voraussichtlich erheblich wachsen. Die geografische Analyse des ReRAM-Marktes wurde für Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, den Nahen Osten und Afrika sowie Mittel- und Südamerika durchgeführt.

Quelle: MRFR-Analyse

Wettbewerbsanalyse

Die prominenten Akteure auf dem ReRAM-Markt verfolgen die Einführung von ReRAM-Produkten mit hoher Dichte als wichtige Wachstumsstrategie, um ihre Marktanteile weiter auszubauen. Zum Beispiel hat Fujitsu Semiconductor Ltd 2019 in Zusammenarbeit mit Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd einen nichtflüchtigen 8-MB-ReRAM-Speicher auf den Markt gebracht, der für das Lesen von Situationsdaten mehr als das Ausschreiben von Daten wirksam ist.

Die wichtigsten Akteure

Die Hauptakteure auf dem ReRAM-Markt sind Crossbar Inc. (USA), Fujitsu Limited (Japan), Intel Corporation (USA), Panasonic Corporation (Japan), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), SK Hynix Inc. (Süden) Korea), Adesto Technologies Corporation (USA), Micron Technology, Inc. (USA), TSMC (Taiwan), 4DS Memory Limited (USA) und Reliance Memory (China), Sony Corporation (Japan), SanDisk (USA), Weebit Nano (Australien) und Rambus Incorporated (USA).

Zielpublikum

• RAM-Hersteller


• Technologie-Anbieter


• Erstausrüster


• Ausrüstungshändler und Lieferanten


• Organisationen für Technologiestandards


• Technologie-Investoren


• Systemintegratoren


• Forschungsinstitute, Organisationen und Beratungsunternehmen