Eine Vielzahl von Verbindungen SiC Power Semiconductor oder Sic ist in verschiedenen Branchen aufgrund mehrerer Leistungsvorteile sehr beliebt. Ein höheres kritisches elektrisches Feld neben einer überlegenen Wärmeleitfähigkeit und einer hohen Betriebstemperatur sind nur einige der Eigenschaften, die seine Leistung in allen Branchenrahmen unterscheiden. Ein verbessertes Energiemanagement-Framework in Hybrid-Elektrofahrzeugen ist das Gebot der Stunde; dies treibt letztendlich auch die Marktentwicklung voran. Die höheren Kosten des Wafers, die mit der Herstellung von SiC-Leistungshalbleitern zusammenhängen, sind jedoch ein Hindernis, das den Marktentwicklungsprozess beeinträchtigen kann. Gemäß der jüngsten Prognose könnte der SiC Power Semiconductor Market ein Wachstum bei einer jährlichen Wachstumsrate von 26,3% verzeichnen, was einer Bewertung von 1.359,2 Mio. USD bis zum Ende des Prognosezeitraums 2018-2023 entspricht. Dieser Bericht würde eine detaillierte Analyse des Wachstums der Marktgröße von SiC-Leistungshalbleitern, aktuellen und zukünftigen Trends usw. enthalten.
Auswirkungen von Covid-19 auf den Markt
Der jüngste Ausbruch von Covid 19 hat sich auf Volkswirtschaften und Branchen in allen Ländern in Lockdown-Phasen, Reisebeschränkungen und verschiedenen Geschäftsstillständen ausgewirkt. Natürlich wirkten sich die Auswirkungen auch auf die gesamte Halbleiterindustrie aus. Dies betraf sowohl die Nachfrage- als auch die Lieferkettenmodule. Stillstände und Schließungen von Halbleiteranlagen verschärften den Abwärtsversorgungszug insbesondere im Jahr 2019. Die Reflexion dieser Effekte wird in der Nachfrage nach Siliziumkarbid (SiC) -Leistungshalbleitern beobachtet.
Es wird jedoch mit Spannung erwartet, dass der Markt für SiC-Leistungshalbleiter zwischen dem Prognosezeitraum 2021-2023 erheblich steigen wird.
Dynamik des Marktes
angenommen, dass die durch den wachsenden F&E-Markt verursachte verbesserte Materialfähigkeit der Hauptantrieb hinter dem Markt für SiC-Leistungshalbleiter ist. Die zunehmenden Vorteile der Automobilindustrie wie die Erfüllung der Kundenerwartungen, Leistung und Ladezeit sowie die zunehmende Reichweite sorgen für einen enormen Antrieb auf dem Markt.
Die Überarbeitung der F & E-Aktivitäten wird definitiv zu überlegenen Materialfähigkeiten führen und letztendlich eine entscheidende Rolle für das Wachstum des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter spielen. Um ein Beispiel zu nennen: Die Advanced Research Projects Agency Energy (ARPA-E) des US-Energieministeriums (DOE) kündigt eine Finanzierung in Höhe von 30 USD für die 21 Projekte an, die zufällig Teil des Programms Reliable Circuits and Creating Innovative Using Inventive Semiconductors and Topologies (CIRCUITS) werden.
Leistungsmodule werden mit Hilfe von SiC-Technologien mit großer Bandlücke entwickelt, um elektronische Geräte im Betrieb bei erhöhten Temperaturen effektiver und effizienter zu machen.
Da zugelassene Elektroautos im Jahr 2020 um fast 41% gestiegen sind, gäbe es auf dem Markt zahlreiche Wachstumschancen.
Mit dem ständig wachsenden Trend zu Maschinen und Robotern für die industrielle Automatisierung wird die Nachfrage nach SiC Power Semiconductor sprunghaft steigen.
Die steigende Nachfrage nach dem elektronischen Fahrzeug ist der Grund für die Wachstumschancen des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter. Zum Beispiel wurde die Anzahl der Elektroautos auf der Straße im Jahr 2020 aufgrund des sinkenden Preises und der zunehmenden Vielfalt um 41% erhöht.
Der Mangel an qualifizierten Arbeitskräften ist auch eine der Einschränkungen, die das Wachstum des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter verlangsamen könnten.
Herausforderungen
Eine der größten Herausforderungen bei der Entwicklung von SiC-basierten Leistungsgeräten sind die hohen Kosten für Wafer. Obwohl erwartet wird, dass die Siliziumhalbleiter durch SiC Power Semiconductor ersetzt werden, sind die Kosten für SiC Power Semiconductor höher. Die beiden primären Vorstufen zur Verarbeitung von SiC-Schichten in Chips, IGBTs und MOSFETs sind hochreines SiC-Pulver und hochreines Silan (SiH4). In der Tat ist die Verfügbarkeit von hochreinem SiC-Pulver aufgrund weniger Lieferanten und hoher Kosten begrenzt.
Gemäß der jüngsten Prognose könnte der Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ein Wachstum bei einer jährlichen Wachstumsrate von 26,3% verzeichnen, was einer Bewertung von 1.359,2 Mio. USD bis zum Ende des Prognosezeitraums 2018-2023 entspricht . Die Überarbeitung der F & E-Aktivitäten wird definitiv zu überlegenen Materialfähigkeiten führen und letztendlich eine entscheidende Rolle für das Wachstum des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter spielen. Da die Zulassung von Elektroautos im Jahr 2020 um 41% gestiegen ist, würde es auf dem Markt für SiC-Leistungshalbleiter zahlreiche Wachstumschancen geben.
Übersicht über die Segmentierung
Die Marktgröße für Siliziumkarbid (SiC) -Leistungshalbleiter ist nach Endverbrauchern, Geografie und Wafergröße getrennt. Und es ist zu erwarten, dass der Markt im Prognosezeitraum wachsen wird.
Nach Produkt
Der Markt besteht aus etwas gegabelten SiC-Schottky-Dioden, SiC-Hybridmodulen, SiC-MOSFET und anderen, die auf einer Variation des Produkts basieren. Der Markt wird dominiert vom Segment SiC-Schottky-Dioden mit dem größten gemeinsamen Markt.
Nach Bewerbung
Wenn wir uns die Anwendung ansehen, ist der Markt für SiC-Leistungshalbleiter in verschiedene Segmente wie Industrie, Luft- und Raumfahrt, Medizin usw. unterteilt. Der größte Anteil wird jedoch vor allem aufgrund der großen Nachfrage nach Leistungselektronik in der Automobilindustrie von der Automobilbranche gehalten. Kurz gesagt, mit besserer Zuverlässigkeit und überlegenem Wirkungsgrad wird die Fähigkeit, bei erhöhten Temperaturen, Hochspannungsfähigkeit und reduzierter SiC-Größe zu arbeiten, ideal für die Anwendung in der Elektrofahrzeugindustrie. Dies ist auch einer der Gründe für das Wachstum des Marktes. Anwendungen:
Von Endbenutzern
Die erwartete Wachstumsrate der Automobilindustrie liegt im Prognosezeitraum etwas über 30,2%. Mit der zunehmenden Akzeptanz von SiC-Leistungshalbleitern in vollelektrischen Fahrzeugen (xEV) und Plug-in-Hybrid (PHEV) wird das Wachstum dieses Segments unvermeidlich. Obwohl das meiste davon
| Report Attribute/Metric | Details |
| Market Size 2023 | USD 0.2 billion |
| Market Size 2024 | USD 0.3 billion |
| Market Size 2032 | USD 1.6 billion |
| Compound Annual Growth Rate (CAGR) | 23.4% (2024-2032) |
| Base Year | 2023 |
| Market Forecast Period | 2024-2032 |
| Historical Data | 2019- 2022 |
| Market Forecast Units | Value (USD Billion) |
| Report Coverage | Revenue Forecast, Growth Factors, Market Competitive Landscape, and Trends |
| Segments Covered | Device, Wafer Size, Application, End User, and Region |
| Geographies Covered | North America, Europe, Asia Pacific, and the Rest of the World |
| Countries Covered | The U.S., Canada, German, France, UK, Italy, Spain, China, Japan, India, Australia, South Korea, and Brazil |
| Key Companies Profiled | WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., and Renesas Electronics Corporation |
| Key Market Opportunities | Strategic partnership and acquisition by SiC manufacturers |
| Key Market Dynamics | Advent of sic power semiconductors Rising penetration of electronic vehicles |
Frequently Asked Questions (FAQ) :
The SiC power semiconductor market size was valued at USD 0.2 Billion in 2023.
The SiC power semiconductor market is projected to grow at a CAGR of 23.4% during the forecast period, 2024-2032.
Asia Pacific had the largest share of the SiC power semiconductor market
The key players in the market are WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, and Texas Instruments Incorporated.
The SiC discrete devices category dominated the market in 2023.
EV motors had the largest share of the SiC power semiconductor market.
The 6-inch & above category dominated the market in 2023.
Energy and power had the largest share of the market.
Senior Research Analyst Ankit gupta is an analyst in market research industry in ict and semi industry. with post-graduation in "telecom and marketing management" and graduation in "electronics and telecommunication" vertical he is well versed with recent development in ict industry as a whole. having worked on more than 150+ reports including consultation for fortune 500 companies such as microsoft and rio tinto in identifying solutions with respect to business problems his opinions are inclined towards mixture of technical and managerial aspects.
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